[发明专利]含铝多量子阱激光芯片及其制造方法、激光装置

权利要求书

1.一种含铝多量子阱激光芯片的制造方法，其特征在于，包括：

在基板上生成含铝的多量子阱层；

借助于刻蚀阻挡层对所述多量子阱层进行刻蚀以生成台面结构；

在预定水浴温度下采用钝化剂对所述台面结构进行浸泡，以实现对所述含铝的多量子阱层界面的钝化处理；其中，所述预定水浴温度为55℃至65℃或16℃至20℃；

在包含经钝化处理后的所述含铝的多量子阱层界面的所述台面结构上生成反向阻挡层；以及

去除所述刻蚀阻挡层并在所述反向阻挡层和所述台面结构上依次形成包层和电接触层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述钝化剂为预定质量浓度的硫化铵水溶液；其中，所述预定质量浓度的范围为20％至39％。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述在预定水浴温度下采用钝化剂对所述台面结构进行浸泡包括：

在预定水浴温度下将所述台面结构在所述硫化铵水溶液中静置15min至20min。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述在预定水浴温度下采用钝化剂对所述台面结构进行浸泡后，所述制造方法还包括：

采用去离子水对所述台面结构进行冲洗以使电阻率为12MΩ至14MΩ；

使用脱水剂对所述台面结构进行脱水处理。

5.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在所述在预定水浴温度下采用钝化剂对所述台面结构进行浸泡前，所述制造方法还包括：

将所述硫化铵水溶液在水浴中静置5min至10min。

6.一种含铝多量子阱激光芯片，其特征在于，所述含铝多量子阱激光芯片根据权利要求1至5中任一项所述的制造方法而制造得到。

7.一种激光装置，其特征在于，包括权利要求6所述的含铝多量子阱激光芯片。