[发明专利]排气系统有效
申请号: | 201711269252.4 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN109509713B | 公开(公告)日: | 2021-01-29 |
发明(设计)人: | 林钰富;石世昌;陈家桢 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张福根;冯志云 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排气 系统 | ||
1.一种排气系统,用于从一半导体制造设备排出一有害气体,包括:
一主排气管,具有一顶表面及一底表面;
一第一支管,包括一上游端及一下游端,该上游端耦接到一混合气体的一来源,该混合气体包括该有害气体,该下游端通过该顶表面连接到该主排气管,其中该混合气体密度比空气高,且该有害气体密度比空气低;
一第二支管,包括一下游端,该下游端通过该底表面连接到该主排气管;以及
一检测器,配置以检测该第二支管中的该有害气体的存在。
2.根据权利要求1所述的排气系统,其中该主排气管位于该半导体制造设备之下。
3.根据权利要求2所述的排气系统,其中该第二支管包括一U形部分,该U形部分包括一下游端,该下游端连接到该主排气管的该底表面。
4.根据权利要求3所述的排气系统,其中该U形部分具有直立U字形的形状。
5.根据权利要求1所述的排气系统,其中该半导体制造设备包括一极紫外光微影系统的一液滴产生器,该液滴产生器从该混合气体抽取压力。
6.根据权利要求1所述的排气系统,其中该主排气管位于该半导体制造设备之上。
7.根据权利要求6所述的排气系统,其中该第一支管包括一U形部分,该U形部分包括一下游端,该下游端连接到该主排气管的该顶表面。
8.根据权利要求7所述的排气系统,其中该U形部分具有直立U字形的形状。
9.根据权利要求1所述的排气系统,其中该第二支管更包括一上游端,该上游端连接到一气体收容箱。
10.根据权利要求9所述的排气系统,其中在该第二支管内侦测到有害气体的存在代表该有害气体从该气体收容箱不正常泄漏。
11.一种排气系统,用于自一半导体制造设备排出密度比空气低的一有害气体,包括:
一主排气管,具有一顶表面以及一底表面;
一第一支管,包括一上游端及一下游端,该上游端耦接到一混合气体的一来源,该混合气体包括该有害气体,该下游端通过该顶表面连接到该主排气管,其中该混合气体密度比空气高;以及
一第二支管,具有一第一部分及一第二部分,该第一部分包括一检测器,该检测器用于检测该有害气体的存在,
其中该第二支管的整个该第一部分位于该主排气管的该底表面上,且该第二支管的该第二部分通过该底表面连接到该主排气管。
12.根据权利要求11所述的排气系统,其中该主排气管位于该半导体制造设备之下。
13.根据权利要求12所述的排气系统,其中该第二支管的该第二部分包括一U形部分,该U形部分具有一下游端,该下游端通过该底表面连接到该主排气管,该U形部分具有一直立U字形的形状。
14.根据权利要求11所述的排气系统,其中该第二支管更包括一上游端,该上游端连接到一气体收容箱。
15.根据权利要求14所述的排气系统,其中在该第二支管内侦测到有害气体的存在代表该有害气体从该气体收容箱不正常泄漏。
16.根据权利要求11所述的排气系统,其中该有害气体是氢气。
17.根据权利要求16所述的排气系统,其中该混合气体包括一惰性气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造