[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一细长栅极结构，在第一方向上延伸，其中，所述第一细长栅极结构具有第一端部、第二端部和设置在所述第一端部与所述第二端部之间的第三部分；

第一导电接触件，在所述第一方向上延伸，所述第一导电接触件被设置为邻近所述第一细长栅极结构的第三部分，其中，所述第一导电接触件具有在所述第一方向上测量的第一尺寸和在与所述第一方向垂直的第二方向上测量的第二尺寸；

第二导电接触件，在所述第一方向上延伸，所述第二导电接触件被设置为邻近所述第一细长栅极结构的第一端部，其中，所述第二导电接触件具有在所述第一方向上测量的第三尺寸和在所述第二方向上测量的第四尺寸，其中，所述第一尺寸小于所述第三尺寸，并且所述第二尺寸大于所述第四尺寸；

第一鳍结构，在顶视图中与所述第一细长栅极结构相交并且与所述第一导电接触件相交；以及

第二鳍结构，在顶视图中与所述第一细长栅极结构相交并且与所述第二导电接触件相交，其中，所述第一鳍结构和所述第二鳍结构均在所述第二方向上延伸，并且所述第一鳍结构在所述第一方向与所述第二鳍结构分隔；

第三细长栅极结构，在所述第一方向上延伸，其中，所述第三细长栅极结构通过第一间隙与所述第一细长栅极结构分隔，所述第二导电接触件的非端部被设置为邻近所述第一间隙，所述第一间隙在所述第二方向上与所述非端部重叠，在俯视图中，所述第二导电接触件的所述非端部比端部窄；

第二细长栅极结构，在所述第一方向上延伸，其中，所述第二细长栅极结构通过第二间隙与所述第一细长栅极结构分隔；

第四细长栅极结构和第五细长栅极结构，在所述第一方向上延伸通过第三间隙相互分隔；

第三导电接触件和第四导电接触件，在所述第一方向上延伸，所述第三导电接触件的非端部的第一侧被设置为邻近所述第二间隙并且在所述第二方向上与所述第二间隙重叠，所述第三导电接触件的第二侧邻近所述第四细长栅极结构的非端部，所述第三导电接触件的非端部的在所述第二方向上测量的尺寸相比于端部从所述第一侧减小，所述第四导电接触件的非端部的第一侧被设置为邻近所述第一细长栅极结构的非端部，所述第四导电接触件的非端部的第二侧邻近所述第三间隙并且在所述第二方向上与所述第三间隙重叠，所述第四导电接触件的非端部的在所述第二方向上测量的尺寸相比于端部从第二侧减小，

在所述第二方向测量，所述第四导电接触件与所述第一细长栅极结构之间的间隙的尺寸大于所述第三导电接触件与所述第一细长栅极结构之间的间隙的尺寸，所述第四导电接触件与所述第四细长栅极结构之间的间隙的尺寸小于所述第三导电接触件与所述第四细长栅极结构之间的间隙的尺寸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二导电接触件的非端部被设置为邻近所述第一细长栅极结构的第一端部。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三导电接触件具有在所述第一方向上测量的第五尺寸和在所述第二方向上测量的第六尺寸，其中，所述第一尺寸小于所述第五尺寸，并且所述第二尺寸大于所述第六尺寸。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第四尺寸小于所述第六尺寸。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中：

所述第一导电接触件包括静态随机存取存储(SRAM)单元的Vcc接触件；

所述第二导电接触件包括所述静态随机存取存储单元的Vss接触件；

所述第三导电接触件包括所述静态随机存取存储单元的节点接触件；

所述节点接触件位于所述第一细长栅极结构的第一侧上；以及

所述Vcc接触件和所述Vss接触件位于所述第一细长栅极结构的与所述第一侧相对的第二侧上。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述半导体器件还包括：

所述静态随机存取存储单元的位线(BL)接触件，被设置为邻近所述第二细长栅极结构但不邻近所述第一细长栅极结构；

其中：

所述位线接触件具有在所述第一方向上测量的第七尺寸和在所述第二方向上测量的第八尺寸；

所述第七尺寸小于所述第三尺寸和所述第五尺寸；和

所述第八尺寸大于所述第四尺寸和所述第六尺寸。