[发明专利]柔性显示器件及其制备方法有效
申请号: | 201711242212.0 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108962935B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 高卓 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司;TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑彤 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 显示 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种柔性显示器件,其特征在于,包括:
柔性薄膜基板,所述柔性薄膜基板的表面包括器件区域和第一封装区域,所述第一封装区域设有第一环形凹槽;
柔性封装基板,所述柔性封装基板的表面设有与所述第一环形凹槽对应的第二环形凹槽;
电学发光部件,层叠于所述器件区域;
所述第一环形凹槽和第二环形凹槽中均填充有纳米玻璃浆料,所述第一环形凹槽和第二环形凹槽中的纳米玻璃浆料熔融形成纳米玻璃浆料熔融部,使所述柔性薄膜基板和所述柔性封装基板形成整体,并使所述电学发光部件封装于所述柔性薄膜基板和所述柔性封装基板之间;
其中,所述纳米玻璃浆料包括无机非金属材料,所述无机非金属材料选自二氧化硅或氧化硅硼类金属盐。
2.根据权利要求1所述的柔性显示器件,其特征在于,所述纳米玻璃浆料包括聚酰亚胺溶液和无机非金属材料,所述无机非金属材料占所述纳米玻璃浆料总质量的30-50%。
3.根据权利要求2所述的柔性显示器件,其特征在于,所述聚酰亚胺溶液包括聚酰亚胺、交联剂和溶剂,其中聚酰亚胺的浓度为20-25wt%。
4.根据权利要求1所述的柔性显示器件,其特征在于,所述第一环形凹槽的深度为5-8μm,宽度为30-50μm;和/或,所述第二环形凹槽的深度为5-8μm,宽度为30-50μm。
5.根据权利要求1-4任一项所述的柔性显示器件,其特征在于,所述柔性薄膜基板和所述柔性封装基板的材质均为聚酰亚胺。
6.根据权利要求1-4任一项所述的柔性显示器件,其特征在于,所述纳米玻璃浆料熔融部与所述电学发光部件间隔设置。
7.根据权利要求1-4任一项所述的柔性显示器件,其特征在于,所述柔性薄膜基板表面还层叠设置有第一阻隔层;和/或,所述柔性封装基板表面还层叠设置有第二阻隔层。
8.根据权利要求7所述的柔性显示器件,其特征在于,所述第一阻隔层为聚对二甲苯与氮化硅交替设置的复合材料或二氧化硅与氮化硅交替设置的复合材料;和/或,所述第二阻隔层为聚对二甲苯与氮化硅交替设置的复合材料或二氧化硅与氮化硅交替设置的复合材料。
9.根据权利要求1-4任一项所述的柔性显示器件,其特征在于,所述电学发光部件为OLED器件。
10.一种柔性显示器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
提供第一载体基板,于所述第一载体基板表面涂覆聚酰亚胺溶液,固化形成柔性薄膜基板;所述柔性薄膜基板的表面包括器件区域和第一封装区域,于所述第一封装区域形成第一环形凹槽,所述第一环形凹槽中填充有纳米玻璃浆料;
于所述器件区域形成电学发光部件;
提供第二载体基板,于所述第二载体基板表面涂覆聚酰亚胺溶液,固化形成柔性封装基板;所述柔性封装基板的表面设有与所述第一环形凹槽对应的第二环形凹槽,所述第二环形凹槽中填充有纳米玻璃浆料;剥离所述第二载体基板;
将所述柔性封装基板对位贴合于所述柔性薄膜基板,并使所述第一环形凹槽和所述第二环形凹槽相对合;
对所述第一环形凹槽和所述第二环形凹槽相对合的部位进行激光照射,使所述第一环形凹槽和第二环形凹槽中的纳米玻璃浆料熔融在一起形成纳米玻璃浆料熔融部,使所述柔性薄膜基板和所述柔性封装基板形成整体,将所述电学发光部件封装在所述柔性薄膜基板和所述柔性封装基板内;
剥离所述第一载体基板,即得所述柔性显示器件。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述第一载体基板与所述柔性薄膜基板之间还形成有第一离型层,所述第一离型层对应于所述第一环形凹槽所围成的区域;和/或,所述第二载体基板与所述柔性封装基板之间还形成有第二离型层,所述第二离型层对应于所述第二环形凹槽所围成的区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的