[发明专利]衬底加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种衬底加工方法。

背景技术

砷化镓、蓝宝石、硅片等衬底广泛应用于高频及无线通讯、光致发光以及太阳能电池发电等半导体领域。

目前，市场上应用的这些衬底生产工艺复杂，成本高昂，如何进一步降低衬底的加工成本便成为大家争相追求的目标。

在现有技术中，衬底在加工过程中均需要经过研磨工序，以除去前道工序造成的损伤层。但是研磨工序同样会增加新的损伤层，从而增加了后续抛光的难度，即增加了抛光时间以及衬底本身的去除量，造成了加工成本的增加。

发明内容

本发明的目的是提供一种衬底加工方法，以解决上述现有技术中的问题，节约加工时间和加工成本，提高加工精度。

本发明提供了一种衬底加工方法，其中，包括如下步骤：

磨边：对经过切片所得的衬底进行磨边，以降低所述衬底边缘的粗糙度；

腐蚀：使经过磨边工序后的所述衬底进入腐蚀工序，以去除由切片工序产生的损伤层的第一部分；

抛光：对经过腐蚀工序的所述衬底进行抛光，以去除所述损伤层的第二部分。

如上所述的衬底加工方法，其中，优选的是，所述抛光步骤之后还包括：

清洗：对经过抛光工序的所述衬底进行清洗，以降低所述衬底表面粗糙度。

如上所述的衬底加工方法，其中，优选的是，所述抛光步骤具体包括：

第一粗抛：使经过所述腐蚀工序的所述衬底进入第一粗抛工序，以去除所述损伤层的第二部分；

第二粗抛：使经过所述第一粗抛工序的所述衬底进入第二粗抛工序，以初步降低所述衬底表面的粗糙度；

精抛：使经过所述第二粗抛工序的所述衬底进入精抛工序，以使所述衬底表面获得符合要求的粗糙度。

如上所述的衬底加工方法，其中，优选的是，所述抛光步骤具体还包括：

通过使用抛光垫和抛光液对所述衬底进行抛光。

如上所述的衬底加工方法，其中，优选的是，所述第一粗抛工序、所述第二粗抛工序和所述精抛工序中所述使用的所述抛光垫的肖氏硬度以及所述抛光液中颗粒的粒径均依次递减。

如上所述的衬底加工方法，其中，优选的是，在所述第一粗抛工序中所使用的所述抛光垫的肖氏硬度为80～99度，所述抛光液中颗粒的粒径为80～100nm；

在所述第二粗抛工序中所使用的所述抛光垫的肖氏硬度为50～79度，所述抛光液中颗粒的粒径为60～79nm；

在所述精抛工序中所使用的所述抛光垫的肖氏硬度为29～49度，所述抛光液中颗粒的粒径为30～59nm。

如上所述的衬底加工方法，其中，优选的是，所述损伤层的第一部分的厚度为4～8um。

如上所述的衬底加工方法，其中，优选的是，所述损伤层的第二部分的厚度为8～12um。

如上所述的衬底加工方法，其中，优选的是，所述清洗步骤具体包括：

通过兆声波或超声波对所述衬底进行清洗。

本发明提供的衬底加工方法，取消了研磨工序，在衬底依次经过切片和磨边工序后，即进入腐蚀工序，由此可以直接对由切片工序产生的损伤层进行去除，而不会产生新的损伤层，由此避免了材料的浪费，降低了衬底的生产成本，同时减少了工艺步骤，提高了生产效率。

进一步地，通过在第一粗抛工序、第二粗抛工序和精抛工序中使用肖氏硬度以及颗粒粒径均依次递减的抛光垫及抛光液，实现了对衬底表面粗糙度的分步控制，使粗糙度满足了较高的工艺要求。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1为本发明一种实施例提供的衬底加工方法的流程图；

图2为本发明又一种实施例提供的衬底加工方法的流程图。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

如图1所示，本发明实施例提供了一种衬底加工方法，其包括如下步骤：

S100、对经过切片所得的衬底进行磨边，以降低衬底边缘的粗糙度。其中，在切片时，具体可以通过切割机上高速往复运动的切割线将衬底切割成预设厚度的薄片。

S200、使经过磨边工序后的衬底进入腐蚀工序，以去除由切片工序产生的损伤层的第一部分。