[发明专利]衬底加工方法在审
申请号: | 201711241016.1 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107993936A | 公开(公告)日: | 2018-05-04 |
发明(设计)人: | 刘桂勇;兰立广;宋士佳 | 申请(专利权)人: | 北京创昱科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人: | 周放,姜溯洲 |
地址: | 102299 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 加工 方法 | ||
1.一种衬底加工方法,其特征在于,包括如下步骤:
磨边:对经过切片所得的衬底进行磨边,以降低所述衬底边缘的粗糙度;
腐蚀:使经过磨边工序后的所述衬底进入腐蚀工序,以去除由切片工序产生的损伤层的第一部分;
抛光:对经过腐蚀工序的所述衬底进行抛光,以去除所述损伤层的第二部分。
2.根据权利要求1所述的衬底加工方法,其特征在于,所述抛光步骤之后还包括:
清洗:对经过抛光工序的所述衬底进行清洗,以降低所述衬底表面粗糙度。
3.根据权利要求1所述的衬底加工方法,其特征在于,所述抛光步骤具体包括:
第一粗抛:使经过所述腐蚀工序的所述衬底进入第一粗抛工序,以去除所述损伤层的第二部分;
第二粗抛:使经过所述第一粗抛工序的所述衬底进入第二粗抛工序,以初步降低所述衬底表面的粗糙度;
精抛:使经过所述第二粗抛工序的所述衬底进入精抛工序,以使所述衬底表面获得符合要求的粗糙度。
4.根据权利要求3所述的衬底加工方法,其特征在于,所述抛光步骤具体还包括:
通过使用抛光垫和抛光液对所述衬底进行抛光。
5.根据权利要求4所述的衬底加工方法,其特征在于,所述第一粗抛工序、所述第二粗抛工序和所述精抛工序中所述使用的所述抛光垫的肖氏硬度以及所述抛光液中颗粒的粒径均依次递减。
6.根据权利要求5所述的衬底加工方法,其特征在于,
在所述第一粗抛工序中所使用的所述抛光垫的肖氏硬度为80~99度,所述抛光液中颗粒的粒径为80~100nm;
在所述第二粗抛工序中所使用的所述抛光垫的肖氏硬度为50~79度,所述抛光液中颗粒的粒径为60~79nm;
在所述精抛工序中所使用的所述抛光垫的肖氏硬度为29~49度,所述抛光液中颗粒的粒径为30~59nm。
7.根据权利要求1所述的衬底加工方法,其特征在于,所述损伤层的第一部分的厚度为4~8um。
8.根据权利要求7所述的衬底加工方法,其特征在于,所述损伤层的第二部分的厚度为8~12um。
9.根据权利要求2所述的衬底加工方法,其特征在于,所述清洗步骤具体包括:
通过兆声波或超声波对所述衬底进行清洗。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造