[发明专利]显示面板及其制造方法在审
申请号: | 201711235318.8 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108022962A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
本发明公开了一种显示面板及其制造方法。所述显示面板包括薄膜晶体管阵列基板、有机发光功能层、像素界定层、阴极层、透明封装层。所述像素界定层的像素界定构件设置于所述有机发光功能层中与所述显示面板的像素单元对应的部分的至少一侧;所述阴极层具有预定透光率,所述阴极层覆盖于所述有机发光功能层和所述像素界定层上,所述阴极层与所述显示面板的开口区对应的部分的厚度小于所述阴极层与所述显示面板的非开口区对应的部分的厚度;所述透明封装层覆盖于所述导电金属膜层和所述导电金属构件层上;其中,所述显示面板用于在所述透明封装层的外表面上输出显示图像。本发明能提高显示面板的电子注入效率,进而提高显示面板的显示质量。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种显示面板及其制造方法。
【背景技术】
传统的OLED面板一般为底出光式显示面板,也就是说,传统的OLED面板一般在与阳极层对应的一面输出显示图像。
传统的OLED面板中的驱动电路占据像素单元的较大面积,因此,像素单元的开口率较低,这导致了传统的OLED面板的显示效果不够理想。
为解决上述技术问题,一种改进方案为:将传统的OLED面板改为顶出光式显示面板,也就是说,在OLED面板中与封装层对应的一面输出显示图像。该改进方案大大增加了开口率。
然而,在上述改进方案中,阴极需要制备为厚度较小的状态。在阴极的厚度较小的情况下,阴极具有较大的阻抗,此时不利于电子注入,从而降低了电流的传导能力,限制了显示质量的提高。
故,有必要提出一种新的技术方案,以解决上述技术问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种显示面板及其制造方法,其能使得显示面板在与封装层对应的一面输出显示图像的前提下,提高显示面板的电子注入效率,进而提高显示面板的显示质量。
为解决上述问题,本发明的技术方案如下:
一种显示面板,所述显示面板包括:薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括薄膜晶体管开关阵列和阳极阵列,所述薄膜晶体管开关阵列中的薄膜晶体管开关与所述阳极阵列中的阳极连接;有机发光功能层;像素界定层,所述像素界定层包括至少两像素界定构件,所述像素界定构件设置于所述有机发光功能层中与所述显示面板的像素单元对应的部分的至少一侧;阴极层,所述阴极层具有预定透光率,所述阴极层覆盖于所述有机发光功能层和所述像素界定层上,所述阴极层与所述显示面板的开口区对应的部分的厚度小于所述阴极层与所述显示面板的非开口区对应的部分的厚度;透明封装层,所述透明封装层覆盖于所述导电金属膜层和所述导电金属构件层上;其中,所述显示面板用于在所述透明封装层的外表面上输出显示图像。
在上述显示面板中,所述阴极层包括导电金属膜层和导电金属构件层,所述导电金属膜层覆盖于所述有机发光功能层和所述像素界定层上,所述导电金属构件层设置于所述导电金属膜层上,所述导电金属构件层包括至少两导电金属构件,所述导电金属构件设置于所述导电金属膜层上与所述非开口区对应的位置处。
在上述显示面板中,所述导电金属膜层具有第一厚度,所述导电金属构件在垂直于所述导电金属膜层所对应的平面的方向上具有第二厚度,所述第一厚度小于所述第二厚度。
在上述显示面板中,所述导电金属构件所对应的金属材料的阻抗低于预定值。
在上述显示面板中,所述导电金属膜层所对应的金属材料为银、铜、铝,所述导电金属构件所对应的金属材料为钼、钛。
一种上述显示面板的制造方法所述方法包括以下步骤:A、在所述薄膜晶体管阵列基板上设置像素界定层和有机发光功能层;B、在所述有机发光功能层和所述像素界定层上设置所述阴极层;C、在所述导电金属膜层和所述导电金属构件层上设置所述透明封装层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的