[发明专利]显示面板及其制造方法在审
申请号: | 201711235318.8 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN108022962A | 公开(公告)日: | 2018-05-11 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:
薄膜晶体管阵列基板,所述薄膜晶体管阵列基板包括薄膜晶体管开关阵列和阳极阵列,所述薄膜晶体管开关阵列中的薄膜晶体管开关与所述阳极阵列中的阳极连接;
有机发光功能层;
像素界定层,所述像素界定层包括至少两像素界定构件,所述像素界定构件设置于所述有机发光功能层中与所述显示面板的像素单元对应的部分的至少一侧;
阴极层,所述阴极层具有预定透光率,所述阴极层覆盖于所述有机发光功能层和所述像素界定层上,所述阴极层与所述显示面板的开口区对应的部分的厚度小于所述阴极层与所述显示面板的非开口区对应的部分的厚度;
透明封装层,所述透明封装层覆盖于所述导电金属膜层和所述导电金属构件层上;
其中,所述显示面板用于在所述透明封装层的外表面上输出显示图像。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阴极层包括导电金属膜层和导电金属构件层,所述导电金属膜层覆盖于所述有机发光功能层和所述像素界定层上,所述导电金属构件层设置于所述导电金属膜层上,所述导电金属构件层包括至少两导电金属构件,所述导电金属构件设置于所述导电金属膜层上与所述非开口区对应的位置处。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述导电金属膜层具有第一厚度,所述导电金属构件在垂直于所述导电金属膜层所对应的平面的方向上具有第二厚度,所述第一厚度小于所述第二厚度。
4.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述导电金属构件所对应的金属材料的阻抗低于预定值。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述导电金属膜层所对应的金属材料为银、铜、铝,所述导电金属构件所对应的金属材料为钼、钛。
6.一种如权利要求1所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
A、在所述薄膜晶体管阵列基板上设置像素界定层和有机发光功能层;
B、在所述有机发光功能层和所述像素界定层上设置所述阴极层;
C、在所述导电金属膜层和所述导电金属构件层上设置所述透明封装层。
7.根据权利要求6所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述阴极层包括导电金属膜层和导电金属构件层,所述导电金属膜层覆盖于所述有机发光功能层和所述像素界定层上,所述导电金属构件层设置于所述导电金属膜层上,所述导电金属构件层包括至少两导电金属构件,所述导电金属构件设置于所述导电金属膜层上与所述非开口区对应的位置处。
8.根据权利要求7所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述步骤B包括:
b1、在所述有机发光功能层和所述像素界定层上依次设置具有第一厚度的第一导电金属层和具有第二厚度的第二导电金属层,其中,所述第一厚度小于所述第二厚度;
b2、在所述第二导电金属层上设置光阻层;
b3、对所述光阻层实施曝光制程;
b4、对所述第二导电金属层中没有被所述光阻层遮挡的部分进行蚀刻;
b5、剥离所述第二导电金属层上附着的所述光阻层。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述第二导电金属层所对应的金属材料与所述第一导电金属层所对应的金属材料的蚀刻选择比大于1000。
10.根据权利要求6至9中任意一项所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述导电金属构件所对应的金属材料的阻抗低于预定值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的