[发明专利]非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器

说明书

公开非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器。一种用于对连接到选择的字线的存储器单元进行编程的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行编程操作；在执行编程操作的第一部分之后中断编程操作；恢复编程操作以执行编程操作的第二部分，其中，在编程操作中断之后在参考时间内恢复编程操作。

本申请要求于2016年11月29日提交到美国专利商标局的第62/427,427号美国临时专利申请的优先权和于2017年2月17日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0021728号韩国专利申请的优先权，所述申请的公开通过引用完整地包含于此。

技术领域

本发明构思的示例性实施例涉及一种半导体存储器，更具体地讲，涉及一种用于控制恢复操作的非易失性存储器装置的操作方法。

背景技术

闪存是能够被擦除和重新编程的非易失性存储介质。由于诸如高容量、低噪声以及低功耗的特性，闪存用于各种存储器系统中。在闪存中，在相对长的时间内执行编程和擦除操作。在编程或擦除操作结束之前，可能不允许访问闪存以进行数据检索。在这种情况下，存储器系统的性能可被降低。

为了从闪存检索数据，存储器系统可执行中断操作以中断当前正在执行的编程操作或擦除操作，然后执行用于数据检索的读取操作。在检索数据之后，存储器系统可根据恢复命令来执行恢复操作以恢复中断的编程操作或者擦除操作。中断操作和恢复操作的频率可由存储器系统所需要的服务质量(QoS)来确定。如果QoS需要最大1ms作为数据检索的读取延迟，则可花费将近1ms来中断编程操作或者擦除操作并且完成读取操作。

然而，闪存的存储器单元的阈值电压分布可在编程操作之后变化。具体地讲，当由用于数据检索的读取操作中断编程操作然后恢复编程操作时，编程时间可增加用于读取操作所花费的时间。如果编程时间增加了在编程操作被中断之后直到编程操作恢复的恢复时间，则存储器单元的阈值电压分布可被变换，因此编程操作可能失败。

发明内容

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种用于对连接到选择的字线的存储器单元进行编程的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行编程操作；在执行编程操作的第一部分之后中断编程操作；恢复编程操作以执行编程操作的第二部分，其中，在编程操作中断之后在参考时间内恢复编程操作。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种用于擦除从多个存储器块中选择的存储器块的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行擦除操作；在执行擦除操作的第一部分之后中断擦除操作；恢复擦除操作以执行擦除操作的第二部分，其中，在擦除操作被中断之后在参考时间内恢复擦除操作。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种用于通过顺序地执行多个编程循环来对连接到选择的字线的存储器单元进行编程的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行编程操作的第一部分，其中，编程操作包括所述多个编程循环中的至少一个；在执行编程操作的第一部分之后中断编程操作；在中断编程操作之后恢复编程操作，其中，根据从编程操作被中断之后直到编程操作恢复的恢复时间，针对选择的字线或者与选择的字线不同的字线恢复编程操作。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种用于通过顺序地执行多个擦除循环来擦除从多个存储器块中选择的存储器块的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行擦除操作的第一部分，其中，擦除操作包括所述多个擦除循环中的至少一个；在执行擦除操作的第一部分之后中断擦除操作；在中断擦除操作之后恢复擦除操作，其中，根据从擦除操作被中断之后直到擦除操作恢复的恢复时间来执行所述多个擦除循环的剩余部分，或者从头开始再次执行所述多个擦除循环的所有擦除循环。

根据本发明构思的示例性实施例，提供一种用于控制非易失性存储器装置的操作的存储器控制器，所述存储器控制器被配置为：控制从非易失性存储器装置的多条字线中选择的字线的编程操作；响应于外部检索请求中断编程操作；根据从编程操作被中断之后直到编程操作恢复测量的恢复时间，针对选择的字线或者与选择的字线不同的字线恢复编程操作。