[发明专利]非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器

权利要求书

1.一种用于擦除从多个存储器块中选择的存储器块的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：

执行擦除操作；

在执行擦除操作的第一部分之后中断擦除操作；

恢复擦除操作以执行擦除操作的第二部分，其中，当作为从中断擦除操作起过去的时间的恢复时间小于参考时间时，恢复擦除操作，其中，参考时间是针对中断的擦除操作的阈值电压分布确保擦除操作的可靠性的时间长度；以及

当恢复时间等于或大于参考时间时，擦除与选择的存储器块不同的存储器块。

2.一种用于通过顺序地执行多个擦除循环来擦除从多个存储器块中选择的存储器块的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：

执行擦除操作的第一部分，其中，擦除操作包括所述多个擦除循环中的至少一个；

在执行擦除操作的第一部分之后中断擦除操作；

在中断擦除操作之后恢复擦除操作，

其中，在中断擦除操作之后恢复擦除操作的步骤包括：

确定恢复时间是否已经过去长达参考时间，其中，参考时间是针对擦除操作的第一部分的阈值电压分布确保擦除操作的可靠性的时间长度；

当恢复时间小于参考时间时，执行包括所述多个擦除循环的剩余部分的擦除操作的第二部分；以及

当恢复时间等于或大于参考时间时，从序列的开始开始执行所述多个擦除循环，以完成针对选择的存储器块的擦除操作。

3.根据权利要求2所述的操作方法，其中，在执行擦除操作的第一部分之后中断擦除操作的步骤包括：

响应于由非易失性存储器装置接收的检索请求中断擦除操作；

执行非易失性存储器装置的读取操作。

4.根据权利要求2所述的操作方法，其中，

当恢复时间等于或者大于参考时间时，对选择的存储器块执行预编程操作。

5.根据权利要求4所述的操作方法，其中，当恢复时间等于或者大于参考时间时，对选择的存储器块执行预编程操作的步骤包括：

将编程电压施加到连接到选择的存储器块的多条字线。

6.一种用于通过顺序地执行多个擦除循环来擦除从多个存储器块中选择的存储器块的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：

执行擦除操作的第一部分，其中，擦除操作包括所述多个擦除循环中的至少一个；

在执行擦除操作的第一部分之后中断擦除操作；以及

在中断擦除操作之后恢复擦除操作，

其中，在中断擦除操作之后恢复擦除操作的步骤还包括：

确定与中断擦除操作直到恢复擦除操作的时间对应的恢复时间是否已经过去长达参考时间，其中，参考时间是针对擦除操作的第一部分的阈值电压分布确保擦除操作的可靠性的时间长度；

当恢复时间等于或者大于参考时间时，忽略擦除操作的第一部分，并且擦除不同于选择的存储器块的存储器块。