[发明专利]发光二极管结构

权利要求书

1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：

一基板，具有一接合面；

一第一图案化金属层，包括一第一金属块阵列，配置在该基板的该接合面上，其中该第一图案化金属层暴露出部分该接合面；

一发光二极管，包括一第一型半导体层、一第二型半导体层、一发光层、一第一电极及第二电极，该发光层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间，该第一电极与该第一型半导体层电性连接，该第二电极与该第二型半导体层电性连接；以及

一第二图案化金属层，包括一第二金属块阵列，配置在该第二型半导体层上，并暴露出部分该第二型半导体层，其中该第二金属块阵列包括一第一部分及一第二部分，该第二金属块阵列的该第一部分及该第二部分分别与该第一电极及该第二电极对应设置，

其中该第二金属块阵列对应设置在该第一金属块阵列上，且该第二金属块阵列与该第一金属块阵列的接触面形成共晶结合。

2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：

一透光材料层，填充在该第一金属块阵列之间的间隙与该第二金属块阵列之间的间隙，且至少覆盖部分该第一金属块阵列所暴露出的该接合面及部分该第二金属块阵列所暴露出的该第二型半导体层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，该透光材料层的材质是选自于苯并环丁烯、环氧树脂、氧化铝、氧化硅、氮化硅、其他有机黏结材料与上述的组合所构成的族群。

4.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该第一图案化金属层与该第二图案化金属层的材质是各选自于金、锡、铜、铟与上述材料的合金所构成的族群。

5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该第一金属块阵列与该第二金属块阵列实质上重合。