[发明专利]存储器装置及其操作方法

说明书

本发明涉及一种具有改进的编程速度的存储器装置，其可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元，每个存储器单元被编程为多个编程状态中的一个；外围电路，其被配置成对多个存储器单元中的一个或多个执行编程操作，编程操作包括编程电压施加操作和验证操作；以及控制逻辑，其被配置成通过将具有不同电压水平的位线电压施加到联接到多个存储器单元的位线来控制外围电路对至少两个编程状态同时地执行验证操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年8月17日提交的申请号为10-2017-0104295的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明的各个实施例总体涉及一种电子装置，并且更特别地，涉及一种半导体存储器装置及其操作方法。

背景技术

半导体存储器装置是通过使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)的半导体材料来实施的存储器装置。半导体存储器装置被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

非易失性存储器装置的示例可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)和铁电RAM(FRAM)。

发明内容

各个实施例涉及展现改进的编程速度的存储器装置及其操作方法。

根据实施例，一种存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元，每个存储器单元被编程为多个编程状态中的一个；外围电路，其被配置成对多个存储器单元中的一个或多个执行编程操作，编程操作包括编程电压施加操作和验证操作；以及控制逻辑，其被配置成通过将具有不同电压水平的位线电压施加到联接到多个存储器单元的位线来控制外围电路对至少两个编程状态同时地执行验证操作。

根据实施例，一种存储器装置的操作方法，该存储器装置包括多个存储器单元，每个存储器单元被编程为具有基于阈值电压划分的多个编程状态中的一个，方法可以包括：将编程电压施加到联接到多个存储器单元的字线；以及通过将彼此不同的位线电压施加到联接到多个存储器单元的位线来同时验证至少两个编程状态。

根据实施例，一种存储器装置可以包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；

外围电路，其被配置成对多个存储器单元中的联接到选择的字线的选择的存储器单元执行编程电压施加操作和编程验证操作；以及控制逻辑，其被配置成控制外围电路同时执行编程验证操作，该编程验证操作将验证电压施加到选择的字线并且将基于选择的存储器单元的目标编程状态与对应于验证电压的编程状态之间的阈值电压差确定的位线电压施加到联接到选择的存储器单元的位线。

附图说明

根据参照附图的以下具体实施方式，本发明的这些和其它特征及优点对于本发明的领域的技术人员将变得显而易见。

图1是示出包括根据实施例的存储器装置的存储装置的图。

图2是示出图1所示的存储器装置的示例性结构的图。

图3是示出图2的存储器单元阵列的实施例的图。

图4是示出图3所示的存储块BLK1至BLKz中的一个(BLKa)的电路图。

图5是示出图3所示的存储块BLK1至BLKz的一个(BLKb)的另一实施例的电路图。

图6是示出包括在图2所示的存储器单元阵列中的存储块BLK1至BLKz的一个(BLKc)的实施例的电路图。

图7是示出通过编程操作形成的存储器单元的阈值电压分布的图。

图8是示出存储器装置的编程操作的图。