[发明专利]一种皮肤修复组合物及其制备方法在审
申请号: | 201711206605.6 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107929181A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 王映 | 申请(专利权)人: | 王映 |
主分类号: | A61K8/9794 | 分类号: | A61K8/9794;A61K8/65;A61K8/64;A61K8/49;A61K8/44;A61K8/37;A61Q19/00;A61P17/00 |
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地址: | 517000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 皮肤 修复 组合 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明属于护肤品领域,具体涉及一种皮肤修复组合物及其制备方法。
背景技术
激素在皮肤病治疗上的发现,是皮肤科药物的一个重大突破,许多与炎症或免疫相关的皮肤病(以及系统性疾病)都常用其进行治疗,因为病因不明,甚至需要终生使用这类药物。而过敏、急性刺激导致的接触性皮炎等,使用激素可以迅速消退症状,其强大的抗炎作用和免疫抑制作用,可以迅速地改善红、肿等炎症表现,是皮肤科最常使用的药物之一。此类物质有很多种,常见的包括地塞米松、泼尼松、醋酸可的松、倍他米松、氟轻松、强的龙松、氯倍他索丙酸酯等。
虽然激素能够迅速地改善皮肤的缺陷,但是长期使用激素其导致的后果包括:蛋白质合成减少,皮肤萎缩;皮肤屏障(也是固有免疫屏障)受损,皮肤变得敏感脆弱;免疫细胞减少或活性被抑制,不能正常识别和清除有害微生物。
同时,正因为激素具有如此强大的功效,近些年来,在功效性化妆品中非法添加激素的现象,屡见不鲜。例如在美白祛斑产品中使用“氢醌+维甲酸+地塞米松”或“白降汞+地塞米松”;在祛痘产品中使用“氯霉素+地塞米松”;防过敏产品中使用“地塞米松或倍他米松”。更有甚者,为减少产品的过敏反应,在普通的化妆品中添加糖皮质激素。而这些虽然短时间内具有快速的效果,但是长期使用容易使得皮肤角质层越来越薄,容易敏感、干燥、发红、发痒、刺痛,久而久之形成所谓的“激素脸”,即激素依赖性皮炎。
针对上述问题,目前市场上出现了一些用于修复激素依赖性皮炎的组合物,如中国专利申请CN106074663A公开了一种植物提取物及激素依赖性皮炎修复霜,其使用密罗木提取物、牛蒡提取物、马齿苋提取物、金银花提取物等植物提取物来替代激素,既能缓解皮肤伤害,同时又能滋养皮肤。如中国专利申请CN106075399A公开了一种用于激素性皮炎的组合物,其主要功效成分为玫瑰纯露、葡萄籽提取物、芦荟胶、甘草提取液、姜黄素、芹菜素和复合生长因子。值得说明的是,上述皮肤修复制剂对激素性皮肤均具有良好的修复效果,但同时也存在一些较为明显的问题:一是,由于使用了多种植物提取物和生长因子作为主要的功效成分,两者协同虽然具有良好的修复效果,但是由于两者自身的不稳定属性,难以长时间保持活性,导致修复液难以长久稳定地发挥功效;二是,仿佛大家都普遍忽略了植物提取物对皮肤的刺激性,若使用者皮肤较为敏感时,在涂抹这种含有多种植物活性成分的制剂时通常会感觉存在轻微的刺痛感,特别在将其使用在含有伤口的皮肤表面时,会感觉有明显的局部刺痛感。
因此,针对上述问题,有必要提供一种对激素依赖性皮炎具有显著的修复效果,且其品质稳定,使用时不会产生刺痛感及不适感的修复组合物。
发明内容
本发明旨在提供了一种皮肤修复组合物及其制备方法,具体地说,提供了一种修复激素依赖性皮炎的组合物,该组合物品质稳定,功效持久,且使用时,不会产生刺痛感和不适感。
为了达到上述目的,本发明采用以下技术方案:一种皮肤修复组合物,由以下质量分数的组分制成:人干细胞生长因子3.0×10-3~1.0×10-2%、经电场处理的芦荟提取物10~20%、胶原蛋白3~6%、角蛋白3~6%、稳定剂1~3%、甘油单油酸酯20~35%、乙醇8~12%以及水余量。
进一步地,所述组合物由以下质量分数的组分制成:人干细胞生长因子3.0×10-3~8.0×10-3%、经电场处理的芦荟提取物15~20%、胶原蛋白4~6%、角蛋白4~6%、稳定剂1~3%、甘油单油酸酯25~35%、乙醇10~12%以及水余量。
进一步地,所述组合物由以下质量分数的组分制成:人干细胞生长因子6.0×10-3%、经电场处理的芦荟提取物15%、胶原蛋白5%、角蛋白5%、稳定剂2%、甘油单油酸酯32%、乙醇10%以及水余量。
进一步地,所述经电场处理的芦荟提取物由以下步骤制得:
S1、榨汁:取新鲜芦荟,洗净,晾干,榨汁,过滤,得汁液;
S2、不同强度的电场处理:将上述汁液暴露在电压10~25V,电场强度8~12v/m的电场中1~3min后,将电场强度调节至3~8v/m,继续处理20~50s,即得。
进一步地,所述步骤S2中将上述汁液暴露在10~20V,电场强度8~10v/m的电场中1~3min后,将电场强度调节至5~8v/m,处理20~50s。
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