[发明专利]包括非易失性存储器件的存储装置及访问方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

非易失性存储器件；

缓冲存储器；

控制器，被配置为使用所述缓冲存储器对所述非易失性存储器件执行第一访问，所述控制器被配置为收集在所述缓冲存储器中的第一访问的第一访问结果信息和第一访问环境信息；

神经形态芯片，被配置为基于第一访问的第一访问结果信息和第一访问环境信息生成访问分类器；以及

所述控制器被配置为使用所述缓冲存储器执行对所述非易失性存储器件的第二访问，以及

所述控制器被配置为通过使用与第二访问和所述访问分类器相关联的访问环境信息来获得与第二访问相关联的访问参数的预测结果。

2.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一访问结果信息和所述预测结果中的每一个包括读取电平、读取通过电平、是否执行软判决以及是否调度读取回收中的至少一个。

3.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一访问结果信息和所述预测结果中的每一个包括编程启动电平、编程通过电平、编程增量电平以及是否执行编码中的至少一个。

4.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一访问结果信息和所述预测结果中的每一个包括擦除启动电平和擦除增量电平中的至少一个。

5.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一访问结果信息和所述预测结果中的每一个包括是否调度垃圾回收、是否调度磨损均衡、是否调度坏块处理、是否执行可靠性读取、以及是否执行访问结果信息读取中的至少一个。

6.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一访问结果信息包括编程时间、擦除时间、读取迭代的次数、错误的次数、物理位置、坏块的位置和纠错时间中的至少一个。

7.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一访问结果信息包括谷值电平、峰值电平以及所述谷值电平与所述峰值电平之间的斜率中的至少一个。

8.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一访问结果信息包括编程和擦除计数、读取计数、编程之后的时间、所应用的编程或擦除脉冲的次数以及在访问操作期间所使用的电压电平中的至少一个。

9.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一访问结果信息包括数据是否是热数据、数据是否是暖数据、数据是否是冷数据以及映射数据更新状态中的至少一个。

10.如权利要求1所述的存储装置，其中，所述第一访问环境信息包括温度、湿度和访问目标中的至少一个。

11.如权利要求10所述的存储装置，其中

所述神经形态芯片被配置为检测所述第一访问结果信息和所述第一访问环境信息的主要特征信息，以及

所述神经形态芯片被配置为基于所述主要特征信息生成所述访问分类器。

12.如权利要求1所述的存储装置，其中，

所述神经形态芯片被配置为检测分别支配至少两个性能的至少两个特征信息，

所述神经形态芯片被配置为基于性能模式来选择所述至少两个特征信息中的一个，以及

所述神经形态芯片被配置为基于所选择的至少两个特征信息来生成所述访问分类器。

13.如权利要求12所述的存储装置，其中，所述至少两个性能包括速度和可靠性。

14.如权利要求12所述的存储装置，其中，所述神经形态芯片被配置为增加所选择的特征信息的权重并减小未选择的特征信息的权重。

15.如权利要求12所述的存储装置，其中，所述控制器被配置为调整所述性能模式。