[发明专利]LED器件和包括LED器件的LED灯有效
申请号: | 201711163036.1 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108376680B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 郑震旭;黄京旭 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/50;F21K9/232;F21K9/238;F21K9/68;F21V19/00;F21V23/06;F21Y115/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 倪斌 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 器件 包括 | ||
1.一种发光二极管器件,包括:
透明衬底,具有条形形状并且包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;
多个发光二极管芯片,安装在所述透明衬底的第一表面上,所述多个发光二极管芯片中的一个发光二极管芯片包括反射层,所述多个发光二极管芯片表面安装在所述透明衬底上;
第一连接端子和第二连接端子,设置在所述透明衬底的相对端上并电连接到所述多个发光二极管芯片;
接合层,插入在所述多个发光二极管芯片和所述透明衬底之间并且包括金属填料;以及
波长转换部分,覆盖所述透明衬底的第一表面、所述透明衬底的第二表面以及所述多个发光二极管芯片,
其中基于从所述第一表面延伸的平面,设置在所述第一表面上的所述波长转换部分的第一部分的第一部分面积大于设置在所述第二表面上的所述波长转换部分的第二部分的第二部分面积。
2.根据权利要求1所述的发光二极管器件,其中所述多个发光二极管芯片中的一个发光二极管芯片还包括:
透光衬底;
发光结构,包括:
第一导电型半导体层;
有源层;以及
第二导电型半导体层,
其中所述发光结构设置在所述透光衬底的上表面上,并且所述反射层直接形成在所述透光衬底的下表面上。
3.根据权利要求1所述的发光二极管器件,其中所述反射层按照堆叠一对二氧化钛膜和二氧化硅膜的方式形成。
4.根据权利要求1所述的发光二极管器件,其中所述反射层具有基本上与所述多个发光二极管芯片中的所述一个发光二极管芯片的安装表面的第二区域的相对应的第一区域。
5.根据权利要求1所述的发光二极管器件,其中所述接合层是不透明的接合层。
6.根据权利要求1所述的发光二极管器件,其中所述接合层的金属填料包括铝填料。
7.根据权利要求1所述的发光二极管器件,其中所述波长转换部分包括与所述透明衬底和所述多个发光二极管芯片接触的透明树脂层以及覆盖所述透明树脂层并包括波长转换材料在内的波长转换层。
8.根据权利要求1所述的发光二极管器件,其中所述第一连接端子和所述第二连接端子分别包括第一固定槽和第二固定槽,所述第一固定槽和第二固定槽指示所述第一表面的第一方向或所述第二表面的第二方向。
9.一种发光二极管灯,包括:
灯泡;
基座部分,连接到所述灯泡的端部;以及
多个发光二极管器件,设置在所述灯泡的内部空间中并且设置在所述内部空间的中心部分上方,
其中所述多个发光二极管器件中的一个发光二极管器件包括:
透明衬底,具有条形形状并且包括第一表面和与第一表面相对的第二表面;
多个发光二极管芯片,安装在所述透明衬底的第一表面上,所述多个发光二极管芯片中的一个发光二极管芯片包括反射层,所述多个发光二极管芯片表面安装在所述透明衬底上;
第一连接端子和第二连接端子,设置在所述透明衬底的相对端上并电连接到所述多个发光二极管芯片;
接合层,插入在所述多个发光二极管芯片和所述透明衬底之间并且包括金属填料;以及
波长转换部分,覆盖所述透明衬底的第一表面、所述透明衬底的第二表面和所述多个发光二极管芯片,并且所述第一表面设置为朝向所述灯泡,
其中基于从所述第一表面延伸的平面,朝向所述灯泡设置的所述波长转换部分的第一部分的第一部分面积大于所述波长转换部分的第二部分的第二部分面积,并且所述波长转换部分的第二部分的表面设置为朝向所述中心部分。
10.根据权利要求9所述的发光二极管灯,还包括:
支撑件,设置在所述中心部分并且一端附接到所述基座部分;
连接框架,附接到所述支撑件的另一端;以及
电极框架,附接到所述支撑件的中间部分,
其中所述第一连接端子和所述第二连接端子分别连接到所述连接框架和所述电极框架。
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