[发明专利]异质结太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在晶体硅的正面沉积第一本征非晶硅层，在所述晶体硅的背面沉积第二本征非晶硅层；或者在所述晶体硅的背面沉积所述第一本征非晶硅层，在所述晶体硅的正面沉积所述第二本征非晶硅层；

在所述第一本征非晶硅层上沉积N型非晶硅层，在所述第二本征非晶硅层上沉积P型非晶硅层；

在所述N型非晶硅层的表面和所述P型非晶硅层的表面分别沉积透明导电膜层；

在所述晶体硅的正面和背面的所述透明导电膜层上分别沉积银薄层；

在所述晶体硅的正面和背面的所述银薄层上分别通过丝网印刷形成主栅线电极。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述晶体硅的正面和背面的所述透明导电膜层上分别沉积银薄层具体包括：

在所述晶体硅的正面和背面的所述透明导电膜层上分别通过掩膜版遮挡所述透明导电膜层上的非主栅区域；

在所述透明导电膜层上的主栅区域沉积所述银薄层。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述晶体硅的正面和背面的所述银薄层上分别通过丝网印刷形成主栅线电极具体包括：

在所述晶体硅的正面和背面的所述银薄层上分别通过丝网印刷形成主栅线电极和细栅线电极。

4.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，在晶体硅的正面沉积第一本征非晶硅层，在所述晶体硅的背面沉积第二本征非晶硅层；或者在所述晶体硅的背面沉积所述第一本征非晶硅层，在所述晶体硅的正面沉积所述第二本征非晶硅层之前包括：

通过制绒工艺对所述晶体硅进行表面处理；

清洗经过制绒工艺后的所述晶体硅。

5.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述银薄层采用物理气相沉积。

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述银薄层采用磁控溅射法沉积，溅射功率为2.5W/cm2，溅射压强为0.2Pa，溅射气体为氩气。

7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述晶体硅的正面和背面的所述透明导电膜层上分别沉积银薄层之后还包括：

采用低温热注入或低温光注入退火方式修复所述银薄层。

8.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括：

晶体硅；

设置在所述晶体硅正面和反面的本征非晶硅层；

设置在所述晶体硅正面的所述本征非晶硅层上的N型非晶硅层；

设置在所述晶体硅背面的所述本征非晶硅层上的P型非晶硅层；

设置在所述N型非晶硅层和所述P型非晶硅层上的透明导电膜层；

设置在所述晶体硅正面和反面的所述透明导电膜层上的银薄层；

设置在所述晶体硅正面和反面的所述银薄层上的主栅线电极。

9.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述银薄层的厚度范围值为10～200nm。

10.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅的厚度范围值为100～250um。

11.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述本征非晶硅层的厚度范围值为1～20nm。

12.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述N型非晶硅层的厚度范围值为1～20nm。

13.根据权利要求8所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述P型非晶硅层的厚度范围值为1～20nm。