[发明专利]成膜装置

说明书

本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，可收容基板；气体供给部，设置在成膜室的上部，具有向基板的成膜面上供给气体的多个喷嘴；加热器，对基板进行加热；以及第一保护罩，在与气体供给部的多个喷嘴相对应的位置具有多个开口部。

技术领域

本发明的实施方式涉及成膜装置。

背景技术

以往，在如IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)等的功率器件那样需要膜厚比较厚的结晶膜的半导体元件的制造工序中，使用了使单晶薄膜在基板上气相生长从而成膜的外延生长技术。

在使用于外延生长技术的成膜装置中，在保持常压或者减压的成膜室的内部载置基板，一边使该基板旋转并对该基板进行加热，一边向成膜室内供给原料气体以及掺杂气体。由此，在基板的表面发生原料气体的热分解反应以及氢还原反应，在基板上成膜出作为薄膜的外延膜。

从设置于成膜室的上部的气体供给部导入原料气体以及掺杂气体。但是，当原料气体和掺杂气体滞留在气体供给部的供给口附近而被加热时，原料和掺杂物、反应生成物会附着在气体供给部的表面。当这样附着在气体供给部上的原料或掺杂物、反应生成物变为微粒掉落到基板上时，会造成不良。另外，即使对成膜室内进行排气或者净化，附着在气体供给部上的掺杂物、反应生成物依然会在成膜室内发生气化。在这种情况下，成膜室的排气或者净化非常耗时。

发明内容

本发明的实施方式提供一种成膜装置，其能够抑制原料、掺杂物或者反应生成物附着在气体供给部，保护气体供给部。

本实施方式的成膜装置具备：成膜室，可收容基板；气体供给部，设置在成膜室的上部，具有向基板的成膜面上供给气体的多个喷嘴；加热器，对基板进行加热；以及第一保护罩，在与气体供给部的多个喷嘴相对应的位置具有多个开口部。

成膜室也可以在气体供给部的下方具有抑制气体的温度上升的温度上升抑制区域，并进一步具备第二保护罩，所述第二保护罩覆盖位于温度上升抑制区域周围的成膜室的第一侧壁部。

位于温度上升抑制区域周围的成膜室的第一侧壁部的内径可以小于位于该第一侧壁部的下方的成膜室的第二侧壁部的内径，并进一步具备第三保护罩，所述第三保护罩覆盖第一侧壁部与第二侧壁部之间的台阶部。

第一保护罩至第三保护罩也可以分别具有向成膜室内露出的第一面和与所覆盖的部分相对置的第二面，第一保护罩至第三保护罩中的任意一个在第二面上具体与所覆盖的部分相嵌合的凹凸形状。

第一保护罩也可以具有隔板，所述隔板在成膜室内向气体的供给方向延伸。

附图说明

图1是示出第一实施方式的成膜装置1的结构例的剖面图。

图2是示出腔室10的头部12的结构例的剖面图。

图3是示出腔室10的头部12以及气体供给部40的内部结构的立体图。

图4是沿着图3的4-4线的剖面图。

图5是示出第一保护罩110的结构例的俯视图。

图6是示出第二实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。

图7是第二实施方式的第一保护罩110的俯视图。

图8是示出第三实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。

图9是示出第四实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。

图10是示出第五实施方式的腔室10的头部12的结构例的剖面图。

具体实施方式

参照附图，对本发明的实施方式进行说明。此外，本发明并不局限于实施方式。