[发明专利]用于干燥晶片的装置及方法

说明书

本发明涉及用于干燥晶片的装置及方法。对于使用多个晶片和有机溶剂的晶片干燥装置，所述晶片干燥装置包括：腔室，用于干燥多个晶片；第一出口，设置在腔室的一个表面中，用于排出有机溶剂；入口，设置在腔室中，用于引入超临界流体；第二出口，用于排出超临界流体；以及调速阀，用于调节通过第一出口排出的有机溶剂的速度。

技术领域

本发明总体涉及用于干燥晶片的装置及方法，更具体地，涉及一种用于干燥晶片的有效装置和方法。

背景技术

在这里，提供了与本发明相关的背景技术，但不一定是现有技术。

图1是示出在韩国专利公开第10-2010-0124584号中提出的用于处理基板的装置和方法的示例性实施方式的视图。

根据上述发明，基板处理装置1包括处理室100，其包括第一内部空间S1和位于第一内部空间S1上方的第二内部空间S2。在第一内部空间S1内，对基板W进行蚀刻工艺和清洁工艺，其称为第一工艺处理。在第二内部空间S2内，使用超临界流体对基板W进行干燥工艺，其称为第二工艺处理。

在第一工艺处理完成后，基板支撑构件20或处理室100通过驱动构件23选择性地提升，从而基板支撑构件20位于第二内部空间S2中。第二内部空间S2通过密封构件(未示出)与第一内部空间S1隔离。固定块16通过驱动单元(未示出)插入到固定槽11中以固定支撑板21。

当基板支撑构件20固定到第二内部空间S2时，通过供给路径14供给处理流体，从而对基板W进行第二工艺处理。在第二工艺处理中，将超临界流体状态的二氧化碳供给到第二内部空间S2，从而使基板W干燥。当超临界流体状态的二氧化碳供给到清洁的基板W时，停留在基板W的图案表面上的异丙醇(IPA)溶解在超临界流体状态的二氧化碳中。含有IPA的超临界流体状态的二氧化碳通过排出路径12排出。

泵26可以用作加压构件，并且泵26对二氧化碳加压直到二氧化碳达到超临界流体状态。当超临界流体状态的二氧化碳供给到第二内部空间S2时，停留在清洁的基板W的图案表面上的IPA溶解在超临界流体状态的二氧化碳中。含有IPA的超临界二氧化碳通过排出路径12排出以干燥基板W。

为了干燥基板W而不引起图案塌陷，需要除去溶解在超临界流体状态的二氧化碳中的所有IPA。这是因为如果干燥混合有IFA的基板W，则在基板W上发生污点或图案塌陷。此时，为了在排出混合有IPA的二氧化碳的同时保持二氧化碳的超临界流体状态，保持压力是必要的。也就是说，存在在第二内部空间S2中除去IPA需要很长时间的问题，并且存在由于晶片处理装置是单晶片型装置而导致生产率降低的问题。

此外，使用半导体装置的制造工艺包括诸如光刻工艺、蚀刻工艺和离子注入工艺的各种工艺。在完成每个工艺之后并且在进行下一个工艺之前，进行清洁工艺和干燥工艺以除去残留在晶片表面上的杂质和残留物，以便清洁晶片的表面。例如，在蚀刻工艺后的晶片的清洁工艺中，将用于清洗工艺的化学液体供给到晶片的表面，然后供给纯水以进行漂洗工艺。在漂洗处理之后，进行干燥处理，其中，除去残留在晶片表面上的纯水以便干燥晶片。作为进行干燥处理的方法，例如，已知用异丙醇(IPA)代替晶片上的纯水来干燥晶片。然而，在这种干燥处理时，存在由于液体的表面张力使得在晶片上形成的图案塌陷的问题。

本发明涉及一种使用超临界流体快速干燥多个晶片的晶片干燥装置。

发明内容

技术问题

技术问题稍后将在“具体实施方式”的最后部分中描述。

技术方案

该部分提供了本发明的总体概述，并不全面公开其全部范围或其全部特征；因此，不应将其解释为限制本发明的范围。