[发明专利]用于干燥晶片的装置及方法

权利要求书

1.一种使用多个晶片和有机溶剂的晶片干燥装置，所述晶片干燥装置包括：

腔室，其用于干燥多个晶片；

第一出口，其设置在所述腔室的底部表面中，用于排出超临界流体未扩散的液态有机溶剂；

入口，其设置在所述腔室的顶部表面中，用于引入所述超临界流体；

第二出口，其设置在所述腔室的侧部表面中，用于排出所述超临界流体扩散的所述有机溶剂；以及

调速阀，其用于调节通过所述第一出口排出的所述液态有机溶剂的速度，

其中，所述超临界流体根据所述超临界流体未扩散的所述液态有机溶剂通过所述调速阀排出的速度而流入。

2.根据权利要求1所述的晶片干燥装置，其中，

所述有机溶剂以0.2mm/s至10mm/s的速度排出。

3.根据权利要求1所述的晶片干燥装置，其中，

所述腔室内的压力被保持为高于所述超临界流体的临界压力。

4.根据权利要求1所述的晶片干燥装置，其中，

所述有机溶剂包含异丙醇、乙醇和甲醇中的一者。

5.根据权利要求1所述的晶片干燥装置，其中，

所述腔室由不锈钢形成。

6.一种用于干燥晶片的方法，包括：

步骤a：准备设置有第一出口和第二出口的腔室，所述第一出口设置在所述腔室的底部表面中并且第二出口设置在所述腔室的侧部表面中；

步骤b：用有机溶剂填充所述腔室的内部；

步骤c：在填充有所述有机溶剂的所述腔室内设置多个晶片；

步骤d：将超临界流体注入到所述腔室中；以及

步骤e：将压力降低至环境压力，

其中，步骤d包括：

步骤d1：通过所述第一出口排出所述超临界流体未扩散的液态有机溶剂；以及

步骤d2：通过所述第二出口排出所述超临界流体扩散的所述有机溶剂，直至仅剩下所述超临界流体，

其中，在所述步骤d1中，还设置有调速阀，所述调速阀用于调节所述超临界流体未扩散的所述液态有机溶剂排出的速度，所述超临界流体根据所述超临界流体未扩散的所述液态有机溶剂通过所述调速阀排出的速度而流入。

7.根据权利要求6所述的用于干燥晶片的方法，其中，

在所述步骤d中，所述腔室中的压力被保持为高于所述超临界流体的临界压力。

8.根据权利要求6所述的用于干燥晶片的方法，其中，

在所述步骤d1中，所述有机溶剂以0.2mm/s至10mm/s的速度排出。

9.根据权利要求6所述的用于干燥晶片的方法，其中，

在所述步骤b中，填充所述有机溶剂，使得多个晶片浸入所述有机溶剂中。

10.根据权利要求6所述的用于干燥晶片的方法，其中，

在所述步骤c中，将所述多个晶片插入所述腔室中。