[发明专利]一种改善键合晶圆晶背缺陷的方法在审
| 申请号： | 201711123939.7 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN107910248A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 邹文;胡胜;刘淼 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 键合晶圆晶背 缺陷 方法 | ||
1.一种改善键合晶圆晶背缺陷的方法，其特征在于，在前制程完成后和晶圆键合前对待键合的载体晶圆进行处理，所述方法包括以下步骤：
步骤S1、于所述载体晶圆的外表面沉积一保护层；
步骤S2、使用酸液去除所述载体晶圆的键合面上的所述保护层。
2.如权利要求1所述的改善键合晶圆晶背缺陷的方法，其特征在于，还包括：
步骤S3、使用清洗液清洗所述键合面。
3.如权利要求1所述的改善键合晶圆晶背缺陷的方法，其特征在于，所述外表面包括所述载体晶圆的正面、背面以及侧面；
所述正面为所述键合面。
4.如权利要求1所述的改善键合晶圆晶背缺陷的方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅。
5.如权利要求1所述的改善键合晶圆晶背缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S1中通过化学气相沉积的方式沉积所述保护层。
6.如权利要求1所述的改善键合晶圆晶背缺陷的方法，其特征在于，所述保护层的厚度为20A～2000A。
7.如权利要求1所述的改善键合晶圆晶背缺陷的方法，其特征在于，所述步骤2中通过湿法刻蚀工艺去除所述键合面上的所述保护层。
8.如权利要求7所述的改善键合晶圆晶背缺陷的方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺在温度范围为120℃～200℃的条件下完成。
9.如权利要求1所述的改善键合晶圆晶背缺陷的方法，其特征在于，所述酸液为磷酸、氢氟酸、硝酸中的一种或多种与去离子水形成的混合溶液。
10.如权利要求2所述的改善键合晶圆晶背缺陷的方法，其特征在于，所述清洗液为氨水、双氧水、去离子水中的一种或多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
