[发明专利]一种制备HBT基极的蚀刻工艺

权利要求书

1.一种制备HBT基极的蚀刻工艺，其特征在于包括以下步骤：

1） 提供一半导体基底，所述半导体基底包括层叠的p掺杂GaAs基极层和InGaP发射极层；其中所述p掺杂GaAs基极层的厚度为50~100nm；

2） 于所述InGaP发射极层上形成光阻层，通过曝光、显影于预设基极区域形成显开窗口；

3） 对所述显开窗口之内的InGaP发射极层进行干法蚀刻，通过检测产物中In的光谱强度并根据其强度减弱程度决定蚀刻终点，控制蚀刻深度大于InGaP发射极层厚度的95%；其中，是以In光谱强度减弱区间的变化速率达到最低值时为蚀刻终点；

4） 通过湿法蚀刻去除所述显开窗口内余下的InGaP以及被离子损伤的物质，使p掺杂GaAs基极层表面裸露；所述蚀刻液为盐酸溶液；所述湿法蚀刻的蚀刻液配比为浓HCl：H₂O=2～4：1，蚀刻时间为5~10s；

沉积金属，然后剥离光阻，金属于所述显开窗口内与p掺杂GaAs基极层表面形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的蚀刻工艺，其特征在于：所述p掺杂GaAs基极层的掺杂浓度为3.0×10¹⁹~8.0×10¹⁹ cm^-3。

3.根据权利要求1所述的蚀刻工艺，其特征在于：所述InGaP发射极层的厚度为30～50nm。

4.根据权利要求1所述的蚀刻工艺，其特征在于：所述干法蚀刻的气体为BCl₃+N₂。

5.根据权利要求1所述的蚀刻工艺，其特征在于：步骤4）中，于湿法蚀刻过程中对蚀刻液进行搅拌。

6.根据权利要求1所述的蚀刻工艺，其特征在于：所述InGaP发射极层表面还覆有介质层，所述光阻层涂覆于介质层表面，介质层的厚度是40 -60 nm。

7.根据权利要求6所述的蚀刻工艺，其特征在于：在步骤2）中，还包括去除显开窗口之内的介质层的步骤，在步骤3）中，还包括对所述显开窗口之内的介质层进行干法蚀刻，刻蚀后对InGaP发射极层进行干法蚀刻。