[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置有效
申请号: | 201711122259.3 | 申请日: | 2017-11-14 |
公开(公告)号: | CN107887398B | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
发明(设计)人: | 周鑫博;剧永波;刘伟;靳希康;高建斌;王志敏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 以及 显示装置 | ||
本发明提供了阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置。其中,所述阵列基板包括:衬底,所述衬底设置有多个像素区;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述像素区中,且所述薄膜晶体管的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口,所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。发明人发现,在薄膜晶体管中的层间介质层上设置部分对应像素区透光区域的开口可以有效提高上述阵列基板的透光率,并且能够减少大视角类不良的发生,进而提高含有上述薄膜晶体管的显示装置的显示质量,提高消费者的消费体验。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体的,涉及阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置。
背景技术
目前,大多数显示装置中的阵列基板中多采用低温多晶硅产品作为绝缘层,现有的低温多晶硅一般对光的透过率较低,而透过率差将会严重影响到显示装置的显示质量,并且会导致大视角类不良的发生,进而降低显示装置的品质,从而限制了显示装置的应用。
因而,目前的阵列基板仍有待改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种透光率高或者可以减少大视角类不良的发生的阵列基板。
在本发明的一个方面,本发明提供了一种阵列基板。根据本发明的实施例,所述阵列基板包括:衬底,所述衬底设置有多个像素区;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述像素区中,且所述薄膜晶体管的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口,所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。发明人发现,在薄膜晶体管中的层间介质层上设置对应像素区透光区域的开口可以有效提高上述阵列基板的透光率,并且能够减少大视角类不良的发生,进而提高含有上述薄膜晶体管的显示装置的显示质量,提高消费者的消费体验。
根据本发明的实施例,所述开口在所述衬底上的正投影与所述透光区域重叠。由此,结构简单,易于实现,并可以大大提高层间介质层的透光率,较大程度减少大视角类不良的发生。
根据本发明的实施例,所述层间介质层上具有通孔,所述源漏极通过所述通孔与所述薄膜晶体管的有源层电连接。由此,结构简单,易于实现,并且可以有效地将源漏极和有源层连接起来,进而实现源漏极和栅极的有效连接。
根据本发明的实施例,所述薄膜晶体管包括:有源层,所述有源层设置在所述像素区中;栅绝缘层,所述栅绝缘层设置在所述像素区中,且覆盖所述有源层;栅极,所述栅极设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧;所述层间介质层,所述层间介质层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧且覆盖所述栅极;源漏极,所述源漏极设置在所述层间介质层远离所述衬底的一侧。由此,结构简单,易于实现,并且上述薄膜晶体管能够有效地驱动像素单元,使得显示装置的显示质量较佳。
根据本发明的实施例,所述阵列基板进一步包括遮光层,所述遮光层设置在所述衬底和所述薄膜晶体管之间,所述遮光层在所述衬底上的正投影与所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底上的正投影部分重叠。由此,结构简单,易于实现,可以有效实现遮光功能,漏光现象较少。
在本发明的另一方面,本发明提供了一种制备阵列基板的方法。根据本发明的实施例,所述方法包括:提供衬底,所述衬底上具有多个像素区;在所述像素区中形成薄膜晶体管;其中,所述薄膜晶体管的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口,所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。发明人发现,采用上述方法制备阵列基板,操作简单方便,易于实现,且获得的阵列基板透光率较高,并且能够减少大视角类不良的发生从而改善视角类不良。
在本发明的再一方面,本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例,所述显示面板包括前面所述的阵列基板。发明人发现,上述显示面板结构简单,易于实现,含有上述阵列基板的显示面板透光率较高,大视角类不良得到有效改善,显示质量较高。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的