[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201711122259.3 申请日: 2017-11-14
公开(公告)号: CN107887398B 公开(公告)日: 2022-01-21
发明(设计)人: 周鑫博;剧永波;刘伟;靳希康;高建斌;王志敏 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 赵天月
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 以及 显示装置
【说明书】:

发明提供了阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置。其中,所述阵列基板包括:衬底,所述衬底设置有多个像素区;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述像素区中,且所述薄膜晶体管的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口,所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。发明人发现,在薄膜晶体管中的层间介质层上设置部分对应像素区透光区域的开口可以有效提高上述阵列基板的透光率,并且能够减少大视角类不良的发生,进而提高含有上述薄膜晶体管的显示装置的显示质量,提高消费者的消费体验。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,具体的,涉及阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置。

背景技术

目前,大多数显示装置中的阵列基板中多采用低温多晶硅产品作为绝缘层,现有的低温多晶硅一般对光的透过率较低,而透过率差将会严重影响到显示装置的显示质量,并且会导致大视角类不良的发生,进而降低显示装置的品质,从而限制了显示装置的应用。

因而,目前的阵列基板仍有待改进。

发明内容

本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此,本发明的一个目的在于提出一种透光率高或者可以减少大视角类不良的发生的阵列基板。

在本发明的一个方面,本发明提供了一种阵列基板。根据本发明的实施例,所述阵列基板包括:衬底,所述衬底设置有多个像素区;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置在所述像素区中,且所述薄膜晶体管的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口,所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。发明人发现,在薄膜晶体管中的层间介质层上设置对应像素区透光区域的开口可以有效提高上述阵列基板的透光率,并且能够减少大视角类不良的发生,进而提高含有上述薄膜晶体管的显示装置的显示质量,提高消费者的消费体验。

根据本发明的实施例,所述开口在所述衬底上的正投影与所述透光区域重叠。由此,结构简单,易于实现,并可以大大提高层间介质层的透光率,较大程度减少大视角类不良的发生。

根据本发明的实施例,所述层间介质层上具有通孔,所述源漏极通过所述通孔与所述薄膜晶体管的有源层电连接。由此,结构简单,易于实现,并且可以有效地将源漏极和有源层连接起来,进而实现源漏极和栅极的有效连接。

根据本发明的实施例,所述薄膜晶体管包括:有源层,所述有源层设置在所述像素区中;栅绝缘层,所述栅绝缘层设置在所述像素区中,且覆盖所述有源层;栅极,所述栅极设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧;所述层间介质层,所述层间介质层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧且覆盖所述栅极;源漏极,所述源漏极设置在所述层间介质层远离所述衬底的一侧。由此,结构简单,易于实现,并且上述薄膜晶体管能够有效地驱动像素单元,使得显示装置的显示质量较佳。

根据本发明的实施例,所述阵列基板进一步包括遮光层,所述遮光层设置在所述衬底和所述薄膜晶体管之间,所述遮光层在所述衬底上的正投影与所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底上的正投影部分重叠。由此,结构简单,易于实现,可以有效实现遮光功能,漏光现象较少。

在本发明的另一方面,本发明提供了一种制备阵列基板的方法。根据本发明的实施例,所述方法包括:提供衬底,所述衬底上具有多个像素区;在所述像素区中形成薄膜晶体管;其中,所述薄膜晶体管的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口,所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。发明人发现,采用上述方法制备阵列基板,操作简单方便,易于实现,且获得的阵列基板透光率较高,并且能够减少大视角类不良的发生从而改善视角类不良。

在本发明的再一方面,本发明提供了一种显示面板。根据本发明的实施例,所述显示面板包括前面所述的阵列基板。发明人发现,上述显示面板结构简单,易于实现,含有上述阵列基板的显示面板透光率较高,大视角类不良得到有效改善,显示质量较高。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711122259.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top