[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，进行加工以便能够对具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道的晶片进行适当地分割。该晶片具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道，该晶片的加工方法包含如下的激光加工步骤：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部并且沿着该间隔道照射该激光束，从而沿着该间隔道在晶片的内部形成在晶片的厚度方向上重叠的多个改质层，如果将对具有与解理方向平行的多条间隔道的晶片进行分割时需要在晶片的厚度方向上重叠地形成的改质层的数量设为n层，则在该激光加工步骤中，在晶片的厚度方向上重叠地形成m层的改质层，其中，n为自然数，m为以上的自然数。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，利用激光束对晶片的内部进行改质。

背景技术

在以移动电话或个人计算机为代表的电子设备中，具有电子电路等器件的器件芯片是必须的结构要素。对于器件芯片，例如在利用多条间隔道(分割预定线)对由硅等半导体材料形成的晶片的正面进行划分而在各区域形成器件之后，沿着该间隔道对晶片进行分割，从而制造器件芯片。

作为对晶片进行分割的方法之一，已知有被称为SD(Stealth Dicing，隐形切割)的方法，使透过性的激光束会聚在晶片的内部，形成利用多光子吸收进行了改质的区域(以下称为改质层)(例如，参照专利文献1)。在沿着间隔道形成了改质层之后，通过对晶片施加力，能够以改质层为起点对晶片进行分割。

但是，在该SD中，多数情况下改质层容易残留于器件芯片中，无法充分提高其抗折强度。因此，也实用化一种被称为SDBG(Stealth Dicing Before Grinding，先隐形切割在研磨)的方法，在形成了改质层之后，对晶片的背面进行磨削，从而去除改质层并将晶片分割成多个器件芯片(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2002-192370号公报

专利文献2：日本特开2004-111428号公报

在上述的SDBG中，为了促进分割成器件芯片，通常沿着与多个解理面对应的解理方向设定间隔道，其中该解理面相对于晶片的主面垂直。另外，构成器件的晶体管的配置也与该间隔道的朝向一致地确定。

与此相对，近年来，研究了如下的方法，相对于以往的常规配置使晶片旋转45°而形成器件，从而使pMOS晶体管的驱动电流增大。但是，在该方法中，间隔道的朝向也变成相对于解理方向倾斜45°，因此即使按照以往的常规条件形成改质层，有时也无法对晶片进行适当地分割。

发明内容

本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，进行加工以便能够对具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道的晶片进行适当地分割。

根据本发明的一个方式，提供晶片的加工方法，该晶片具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道，该晶片的加工方法的特征在于，该方法包含如下的激光加工步骤：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部并且沿着该间隔道照射该激光束，从而沿着该间隔道在晶片的内部形成在晶片的厚度方向上重叠的多个改质层，如果将对具有与解理方向平行的多条间隔道的晶片进行分割时需要在晶片的厚度方向上重叠地形成的改质层的数量设为n层，则在该激光加工步骤中，在晶片的厚度方向上重叠地形成m层的改质层，其中，n为自然数，m为以上的自然数。

在本发明的一个方式中，优选晶片是以(100)面作为主面的硅晶片。另外，在本发明的一个方式中，优选该方法还包含如下的分割步骤：在该激光加工步骤之后，沿着该改质层将晶片分割成多个芯片。

如果将对具有与解理方向平行的多条间隔道的晶片进行分割时所需的改质层的数量设为n层(n为自然数)，则在本发明的一个方式的晶片的加工方法中，形成m层(m为以上的自然数)的改质层，因此能够对具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道的晶片进行适当地分割。

附图说明