[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201711120722.0 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN108115295A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 裵泰羽 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B23K26/53 | 分类号： | B23K26/53;B23K37/047;B24B19/22;B24B41/00;B24B41/06;B24B47/12;B24B47/20;B24B57/02;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶片 间隔道 改质层 解理 激光加工步骤 激光束 加工 方向平行 聚光点 透过性 波长 分割 照射 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶片的加工方法，该晶片具有相对于解理方向倾斜了45°的多条间隔道，该晶片的加工方法的特征在于，
该方法包含如下的激光加工步骤：将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于晶片的内部并且沿着该间隔道照射该激光束，从而沿着该间隔道在晶片的内部形成在晶片的厚度方向上重叠的多个改质层，
如果将对具有与解理方向平行的多条间隔道的晶片进行分割时需要在晶片的厚度方向上重叠地形成的改质层的数量设为n层，则在该激光加工步骤中，在晶片的厚度方向上重叠地形成m层的改质层，其中，n为自然数，m为以上的自然数。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，
晶片是以(100)面作为主面的硅晶片。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其特征在于，
该方法还包含如下的分割步骤：在该激光加工步骤之后，沿着该改质层将晶片分割成多个芯片。
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