[发明专利]制作衬底结构的方法

说明书

本发明提供一种通过使用晶片级工艺对衬底的斜面区进行修整而能够提高工艺再现性及工艺稳定性的制作衬底结构的方法。所述方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括彼此相对的第一表面与第二表面、以及形成在所述第一表面的第一装置区；提供第二衬底，所述第二衬底包括彼此相对的第三表面与第四表面、以及位于所述第三表面的第二装置区；对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合，以对所述第一装置区与所述第二装置区进行电连接；以及形成经修整的衬底。所述形成所述经修整的衬底包括蚀刻被结合到所述第一衬底的所述第二衬底的边缘区。

[相关申请的交叉参考]

本申请基于35U.S.C.§119主张在2016年11月14日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2016-0150805号的优先权，所述韩国专利申请的全部内容并入本案供参考。

技术领域

本发明涉及一种制作衬底结构的方法及/或使用所述方法制作的衬底结构，更具体来说，涉及一种用于对衬底的边缘进行修整的方法及/或使用所述方法制作的衬底结构。

背景技术

许多晶片可包括因晶片薄化工艺造成的斜面边缘。在由半导体装置制作工艺产生的机械应力及/或热应力施加到晶片时，斜面可使施加到晶片边缘的应力不均匀。因此，可能出现晶片的裂纹及分层。

因此，通过晶片边缘修整工艺移除斜面边缘可为有利地。

发明内容

本发明概念涉及一种通过使用晶片级工艺对衬底的斜面区(bevel region)进行修整而能够提高工艺再现性(process reproducibility)及工艺稳定性的制作衬底结构的方法。

本发明概念也涉及一种通过使用晶片级工艺对衬底的斜面区进行修整来制作的衬底结构。

本发明概念的特征及效果并非仅限于上述特征及效果，且通过阅读以下说明，所属领域中的普通技术人员将清楚地理解本发明概念的其他特征及效果。

根据本发明概念的一些示例性实施例，一种制作衬底结构的方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括彼此相对的第一表面与第二表面、以及位于所述第一表面的第一装置区；提供第二衬底，所述第二衬底包括彼此相对的第三表面与第四表面、以及位于所述第三表面的第二装置区；对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合，以对所述第一装置区与所述第二装置区进行电连接；以及形成经修整的衬底。所述形成所述经修整的衬底包括蚀刻被结合到所述第一衬底的所述第二衬底的边缘区。

根据本发明概念的一些示例性实施例，一种制作衬底结构的方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括彼此相对的第一表面与第二表面、以及位于所述第一表面的第一装置区；将所述第一衬底的所述第一表面结合到载体；移除被结合到所述载体的所述第一衬底的一部分，以减小所述第一衬底的厚度；以及在具有所述减小的厚度的所述第一衬底的所述第二表面被完全暴露出之后，使用干蚀刻工艺移除所述第一衬底的边缘区。

根据本发明概念的一些示例性实施例，一种制作衬底结构的方法包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括位于所述第一衬底的第一表面的第一装置区；提供第二衬底，所述第二衬底包括形成在所述第二衬底的第二表面处的第二装置区；对所述第一衬底的所述第一表面与所述第二衬底的所述第二表面进行直接结合以使所述第一装置区与所述第二装置区彼此面对；移除被结合到所述第一衬底的所述第二衬底的一部分以减小所述第二衬底的厚度；以及形成第一经修整的衬底。所述形成所述第一经修整的衬底包括对具有减小的厚度的第二衬底的边缘区进行干蚀刻以形成第一经修整的衬底。

根据本发明概念的一些示例性实施例，一种衬底结构包括：第一衬底，所述第一衬底包括彼此相对的第一表面与第二表面、及位于所述第一表面的第一装置区；以及第二衬底，所述第二衬底包括彼此相对的第三表面与第四表面、及位于所述第三表面的第二装置区。第二衬底的大小小于所述第一衬底的大小。所述第二衬底的所述第三表面被直接结合到所述第一衬底的所述第一表面。所述第一装置区与所述第二装置区电连接到彼此。