[发明专利]制作衬底结构的方法

权利要求书

1.一种制作衬底结构的方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，所述第一衬底包括彼此相对的第一表面与第二表面、以及位于所述第一表面的第一装置区；

提供第二衬底，所述第二衬底包括彼此相对的第三表面与第四表面、以及位于所述第三表面的第二装置区；

对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合，以对所述第一装置区与所述第二装置区进行电连接；以及

形成经修整的衬底，所述形成所述经修整的衬底包括蚀刻被结合到所述第一衬底的所述第二衬底的边缘区。

2.根据权利要求1所述的制作衬底结构的方法，其特征在于，所述对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合包括对所述第一衬底与所述第二衬底进行直接结合。

3.根据权利要求2所述的制作衬底结构的方法，其特征在于，所述对所述第一衬底与所述第二衬底进行直接结合包括：

将所述第一衬底的所述第一表面配置成面对所述第二衬底的所述第三表面；以及

对所述第一装置区与所述第二装置区进行结合。

4.根据权利要求2所述的制作衬底结构的方法，其特征在于，所述对所述第一衬底与所述第二衬底进行直接结合包括：

将所述第一衬底与所述第二衬底设置成使所述第一衬底的所述第二表面与所述第二衬底的所述第三表面面对彼此；以及

将所述第二装置区结合到所述第一衬底的所述第二表面。

5.根据权利要求1所述的制作衬底结构的方法，其特征在于，所述对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合包括在所述第二衬底的所述第三表面上形成导电性连接件并使用所述导电性连接件将所述第一装置区与所述第二装置区电连接到彼此。

6.根据权利要求5所述的制作衬底结构的方法，其特征在于，所述对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合包括形成包封绝缘膜，所述包封绝缘膜在所述第一衬底的所述第一表面与所述第二衬底的所述第三表面之间环绕所述导电性连接件的周边。

7.根据权利要求1所述的制作衬底结构的方法，其特征在于，所述形成经修整的衬底包括：

在所述第二衬底的所述第四表面上形成掩模图案，以暴露出所述第二衬底的所述边缘区；以及

使用所述掩模图案作为蚀刻掩模来移除所述第二衬底的所述边缘区。

8.根据权利要求1所述的制作衬底结构的方法，其特征在于，所述形成经修整的衬底包括在所述第二衬底的所述第四表面被完全暴露出的同时移除所述第二衬底的所述边缘区。

9.根据权利要求1所述的制作衬底结构的方法，其特征在于，所述形成经修整的衬底包括使用干蚀刻工艺移除所述第二衬底的所述边缘区。

10.根据权利要求1所述的制作衬底结构的方法，其特征在于，进一步包括：

在所述对所述第一衬底与所述第二衬底进行结合之后在所述第二衬底中形成贯通电极，以对所述第一装置区与所述第二装置区进行电连接，其中

所述贯通电极电连接到所述第二装置区。

11.根据权利要求1所述的制作衬底结构的方法，其特征在于，进一步包括：

在形成所述经修整的衬底之前，移除被结合到所述第一衬底的所述第二衬底的一部分以减小所述第二衬底的厚度。

12.根据权利要求11所述的制作衬底结构的方法，其特征在于，

所述第二衬底包括贯通电极，且

在所述移除所述第二衬底的所述一部分期间，所述贯通电极被暴露出。