[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成鳍结构，在所述鳍结构中，第一半导体层和第二半导体层交替堆叠；

在所述鳍结构上方形成牺牲栅极结构；

在所述牺牲栅极结构上方形成第一覆盖层并且在所述第一覆盖层上方形成第二覆盖层；

在所述牺牲栅极结构的相对两侧上形成源极/漏极外延层；

在形成所述源极/漏极外延层之后，去除所述第二覆盖层，从而在所述源极/漏极外延层和所述第一覆盖层之间形成间隙，从所述间隙暴露所述鳍结构的一部分；

去除所述第一半导体层的位于所述间隙中的部分，从而在所述第二半导体层之间形成间隔；以及

用第一绝缘材料填充所述间隔，

在用所述第一绝缘材料填充所述间隔期间，所述第一覆盖层保留在所述牺牲栅极结构上方。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述第二半导体层之间的所述第一绝缘材料中形成一个或多个空隙。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一绝缘材料是低k介电材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一绝缘材料进一步形成在所述源极/漏极外延层和所述第一覆盖层上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一覆盖层由第一介电材料制成并且所述第二覆盖层由与所述第一介电材料不同的第二介电材料制成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一介电材料是低k介电材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述源极/漏极外延层包括：

凹进所述鳍结构的未被所述牺牲栅极结构覆盖的部分；以及

在凹进的鳍结构上方形成第三半导体层作为源极/漏极外延层；

其中，所述第三半导体层由与所述第二半导体层不同的半导体材料制成。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括，在形成所述第一绝缘材料之后：

去除所述牺牲栅极结构，从而暴露所述鳍结构的一部分；

从暴露的鳍结构去除所述第一半导体层，从而形成包括所述第二半导体层的沟道层；以及

在所述沟道层周围形成栅极介电层和栅电极层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述栅电极层与所述第一绝缘材料接触并且通过所述第一绝缘材料与所述源极/漏极外延层隔离。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一半导体层由SiGe制成，以及

所述第二半导体层由Si制成。

11.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成鳍结构，在所述鳍结构中，第一半导体层和第二半导体层交替堆叠；

在所述鳍结构上方形成牺牲栅极结构；

在所述牺牲栅极结构上方形成第一覆盖层并且在所述第一覆盖层上方形成第二覆盖层；

从所述鳍结构的未被所述牺牲栅极结构覆盖的部分去除所述第二半导体层，从而形成包括所述第一半导体层的源极/漏极层；

在所述源极/漏极层上方形成源极/漏极外延层；

在形成所述源极/漏极外延层之后，去除所述第二覆盖层，从而在所述源极/漏极外延层和所述第一覆盖层之间形成间隙，从所述间隙暴露所述鳍结构的一部分；

去除所述第二半导体层的位于所述间隙中的部分，从而在所述第一半导体层之间形成间隔；以及

用第一绝缘材料填充所述间隔，在用所述第一绝缘材料填充所述间隔期间，所述第一覆盖层保留在所述牺牲栅极结构上方。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在所述第一半导体层之间的所述第一绝缘材料中形成一个或多个空隙，

所述去除所述第二覆盖层，是在所述源极/漏极外延层上方形成层间介电层之前进行的。