[发明专利]一种提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法

权利要求书

1.一种提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：

a)将在硅衬底上生长完毕的GaN外延片表面进行化学清洗，去除GaN外延片表面污染物和氧化物；

b)将化学清洗后的GaN外延片表面的正面蒸镀反射镜，将蒸镀反射镜后的GaN外延片的正面图形化并进行刻蚀，直至N型GaN外延层露出；

c)利用等离子体增强化学气相沉积法在GaN外延片正面沉积一层二氧化硅，形成绝缘层；

d)去除N型GaN外延层表面沉积的二氧化硅层；

e)利用反应离子刻蚀法对N型GaN外延层外露的表面进行等离子体处理，反应气体为或Ar或，等离子体处理功率为40-100W，处理时间3-10min；

f) 在N型GaN外延层表面蒸镀N电极，形成N型欧姆接触；

g)将 GaN外延片进行衬底剥离、键合、电极焊盘制作，并测试芯片的正向电压。

2.根据权利要求1所述的提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，其特征在于：所述步骤c)中的二氧化硅层的厚度为0.5-1.5μm。

3.根据权利要求1所述的提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，其特征在于：所述步骤c)中的沉积中温度为150-220℃，功率为20-30W，沉积时间为20-25min。

4.根据权利要求1所述的提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，其特征在于：所述步骤d)中的采用光刻法或腐蚀法去除N型GaN外延层表面沉积的二氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，其特征在于：步骤f)中N电极中包含Cr、Al、Ti、Pt、Au。

6.根据权利要求1所述的提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，其特征在于：步骤f)中采用电子束蒸镀法和电极剥离法在N型GaN外延层表面蒸镀N电极或采用磁控溅射法和电极剥离法在N型GaN外延层表面蒸镀N电极。

7.根据权利要求1所述的提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，其特征在于：步骤f)中N电极厚度为1.0-1.5μm。

8.根据权利要求1所述的提升GaN基发光二极管内置欧姆接触性能的方法，其特征在于：步骤g)中测试正向电压时的测试电流为350mA。