[发明专利]开关阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明关于一种开关阵列基板及其制造方法，特别关于一种可改善漏电问题的开关阵列基板及其制造方法。

背景技术

随着科技的进步，平面显示装置已经广泛的被运用在各种领域，例如是液晶显示装置，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类的电子产品中，例如行动电话、可携式多媒体装置、笔记型计算机、液晶电视及液晶屏幕等等。

以液晶显示面板为例，液晶显示面板主要是利用电场控制液晶分子的旋转，让光线可穿过液晶分子而显示影像。其中，薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)为液晶显示面板像素驱动的关键组件。当面板朝着大尺寸高画质发展时，提升薄膜晶体管开关特性的技术是必要的趋势，尤其在薄膜晶体管截止(不导通)时因漏电问题会导致显示异常，因此，薄膜晶体管的漏电问题是迫切需要解决的课题。

发明内容

有鉴于先前技术的不足，发明人经研发后得本发明。本发明的目的为提供一种可改善漏电问题的开关阵列基板及其制造方法。

本发明提出一种开关阵列基板，包括一基板、一开关元件以及一保护层。开关元件设置于基板上，并具有一闸极、一通道层、一漏极及一源极，闸极与通道层对应设置，漏极及源极的一端分别与通道层接触，通道层具有相反的一第一侧边与一第二侧边。保护层分别设置于通道层的第一侧边与源极之间，及第二侧边与漏极之间。

其中，通道层包括一n型半导体层与一非晶硅层，非晶硅层设置于n型半导体层与闸极之间，且源极与漏极分别接触n型半导体层。

另外，保护层可设置于n型半导体层、非晶硅层与源极之间，及n型半导体层、非晶硅层与漏极之间。或者，保护层可设置于非晶硅层与源极之间，及非晶硅层与漏极之间。

另外，开关阵列基板还包括一像素电极层及一平坦化层，像素电极层与漏极连接，平坦化层设置于开关元件上，并于漏极上具有一通孔，且像素电极层通过通孔与漏极连接。

本发明另提出一种开关阵列基板的制造方法，包括：提供一基板；形成一开关元件在基板上，其中开关元件具有一闸极、一通道层、一漏极及一源极，闸极与通道层对应设置，漏极及源极的一端分别与通道层接触，通道层具有相反的一第一侧边与一第二侧边；以及形成一保护层在通道层的第一侧边与源极之间，及第二侧边与漏极之间。

本发明又提出一种开关阵列基板，包括一基板、一开关元件、一保护层以及一像素电极层。开关元件设置于基板上，并具有一闸极、一通道层、一漏极及一源极，闸极与通道层对应设置，漏极及源极的一端分别与通道层接触，通道层具有相反的一第一侧边与一第二侧边。保护层分别设置于通道层的第一侧边与源极之间，及第二侧边与漏极之间。像素电极层与漏极连接；其中，通道层包括一n型半导体层与一非晶硅层，非晶硅层设置于n型半导体层与闸极之间，且源极与漏极分别接触n型半导体层，保护层设置于n型半导体层、非晶硅层与源极之间，及n型半导体层、非晶硅层与漏极之间，或设置于非晶硅层与源极之间，及非晶硅层与漏极之间。

承上所述，在本发明的开关阵列基板及其制造方法中，通过保护层分别设置于通道层的两相反的第一侧边与第二侧边，使保护层可分别位于通道层的第一侧边与源极之间，以及通道层的第二侧边与漏极之间，避免源极与漏极的金属材料与通道层的非晶硅材料直接接触，借此，可阻止源极与漏极和非晶硅层之间的漏电现象，使得本发明的开关阵列基板及其制造方法可改善开关阵列基板的漏电问题，以维持光学性能的要求。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。在附图中：

图1为本发明实施例的一种开关阵列基板的制造方法的流程步骤图。

图2为本发明实施例的一种开关阵列基板的剖视示意图。

图3为本发明另一实施例的开关阵列基板的剖视示意图。

图4为一种显示面板的剖视示意图。

图5为一种显示装置的剖视示意图。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本申请的示例性实施例的目的。但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。