[发明专利]开关阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种开关阵列基板，其特征在于，包括：

一基板；

一开关元件，设置于所述基板上，并具有一闸极、一通道层、一漏极及一源极，所述闸极与所述通道层对应设置，所述漏极及所述源极的一端分别与所述通道层接触，所述通道层具有相反的一第一侧边与一第二侧边；以及

一保护层，分别设置于所述通道层的所述第一侧边与所述源极之间，及所述第二侧边与所述漏极之间。

2.如权利要求1所述的开关阵列基板，其特征在于，所述通道层包括一n型半导体层与一非晶硅层，所述非晶硅层设置于所述n型半导体层与所述闸极之间，且所述源极与所述漏极分别接触所述n型半导体层。

3.如权利要求2所述的开关阵列基板，其特征在于，所述保护层设置于所述n型半导体层、所述非晶硅层与所述源极之间，及所述n型半导体层、所述非晶硅层与所述漏极之间。

4.如权利要求2所述的开关阵列基板，其特征在于，所述保护层设置于所述非晶硅层与所述源极之间，及所述非晶硅层与所述漏极之间。

5.如权利要求1所述的开关阵列基板，其特征在于，还包括：

一像素电极层，与所述漏极连接；及

一平坦化层，设置于所述开关元件上，并于所述漏极上具有一通孔，且所述像素电极层通过所述通孔与所述漏极连接。

6.一种开关阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一开关元件在所述基板上，其中所述开关元件具有一闸极、一通道层、一漏极及一源极，所述闸极与所述通道层对应设置，所述漏极及所述源极的一端分别与所述通道层接触，所述通道层具有相反的一第一侧边与一第二侧边；以及

形成一保护层在所述通道层的所述第一侧边与所述源极之间，及所述第二侧边与所述漏极之间。

7.如权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述通道层包括一n型半导体层与一非晶硅层，所述非晶硅层位于于所述n型半导体层与所述闸极之间，且所述源极与所述漏极分别接触所述n型半导体层。

8.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述保护层形成于所述n型半导体层、所述非晶硅层与所述源极之间，及所述n型半导体层、所述非晶硅层与所述漏极之间。

9.如权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述保护层形成于所述非晶硅层与所述源极之间，及所述非晶硅层与所述漏极之间。

10.一种开关阵列基板，其特征在于，包括：

一基板；

一开关元件，设置于所述基板上，并具有一闸极、一通道层、一漏极及一源极，所述闸极与所述通道层对应设置，所述漏极及所述源极的一端分别与所述通道层接触，所述通道层具有相反的一第一侧边与一第二侧边；

一保护层，分别设置于所述通道层的所述第一侧边与所述源极之间，及所述第二侧边与所述漏极之间；以及

一像素电极层，与所述漏极连接；

其中，所述通道层包括一n型半导体层与一非晶硅层，所述非晶硅层设置于所述n型半导体层与所述闸极之间，且所述源极与所述漏极分别接触所述n型半导体层，所述保护层设置于所述n型半导体层、所述非晶硅层与所述源极之间，及所述n型半导体层、所述非晶硅层与所述漏极之间，或设置于所述非晶硅层与所述源极之间，及所述非晶硅层与所述漏极之间。