[发明专利]一种器件封装方法及相应的器件封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及器件封装技术领域，尤其涉及一种器件封装方法及相应的器件封装结构。

背景技术

传统技术中，IC芯片与外部电路的连接是通过金属引线键合(Wire Bonding)的方式实现。

LED(light emitting diode)，即发光二极管，作为新型高效固体光源，具有长寿命、节能、绿色环保等显著优点，是人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃，被认为是第3代的照明新技术，其经济和社会意义巨大。

传统LED产品的封装方式是通过在基板上电镀一层金属层，然后将金属层腐蚀出一定的图案，然后在一部分金属层上放置LED芯片，然后用导线将LED芯片和另一部分金属层连接起来。然后在芯片表面覆盖符合要求的封装胶体并固化，完成整个LED芯片的封装流程。

然而，这种LED器件封装方法，第一个方面是带有基板，造成封装完的结构厚度大，难以符合如今产品做薄的需求；第二个方面是现有的LED器件封装方法通常在基板上电镀金属层，这样的金属层由于是电镀出来的，因此金属层边缘会产生大量毛刺，容易损伤电子元件和降低效率，并且采用电镀方式制备金属层时，在一片基板上生成多片小金属层会造成小金属层之间或小金属层与其他单元有金属连接，后期处理麻烦，批量生产的时候造成工艺复杂；最后，电镀还是对环境有害的工艺，产生大量电镀液，造成环境污染。

发明内容

本发明提供了一种器件封装方法及相应的器件封装结构，用于解决传统的器件封装技术需带基板封装，并且电镀工艺会成金属毛刺、加工复杂和环境污染的技术问题。

本发明提供的一种器件封装方法，包括：

S1：通过快速成型技术在基板上设置金属层；

S2：将芯片设置在金属层上预设的位置，并将芯片的电极和金属层通过导线连接起来，使得金属层、芯片和导线形成连通电路；

S3：通过封装工艺形成塑封体将芯片、导线和除金属层底面之外的部分金属层包裹；

S4：通过物理剥离方式将基板剥离。

优选地，所述快速成型技术具体为3D打印技术。

优选地，所述步骤S1具体为：通过快速成型技术在基板上设置分为若干个独立金属单元的金属层；

所述步骤S2具体为：将芯片设置在金属层上的部分独立金属单元上，并通过导线将芯片的电极与独立金属单元焊接；

所述步骤S4之后还包括：

S5：将剥离基板后的结构切割成若干个器件。

优选地，所述步骤S4具体包括：

通过真空吸附方式将封装完毕的结构吸住，然后将基板从封装完毕的结构上剥离。

优选地，所述步骤S1中通过快速成型技术在基板上具体设置了若干个倒梯形的独立金属单元，组成金属层。

本发明提供的一种的器件封装结构，基于上述的一种器件封装方法进行制作，包括通过快速成型技术形成的金属层、芯片、导线和塑封体；

所述金属层上设置有所述芯片，所述芯片的电极通过所述导线连接所述金属层，所述塑封体包裹所述导线、所述芯片和除所述金属层底面之外的部分所述金属层；

所述金属层、所述芯片和所述导线形成连通电路。

优选地，所述金属层具体分为若干个独立金属单元，各个独立金属单元之间无任何连接。

优选地，所述独立金属单元具体为倒梯形结构。

优选地，所述金属层的厚度为0.015mm至2.0mm。

优选地，所述金属层的厚度为0.015mm至1.0mm。

优选地，所述器件封装结构的厚度为0.20mm至3.0mm。

优选地，所述金属层为单层结构。

优选地，所述金属层具体为采用可焊性材料制成的单质金属层，使得导线和芯片能焊接在金属层上。

优选地，所述金属层具体为金层或者银层。

从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点：

本发明提供的一种器件封装方法及相应的器件封装结构，其中方法包括通过快速成型技术在基板上设置金属层；将芯片设置在金属层上预设的位置，并将芯片的电极和金属层通过导线连接起来，使得金属层、芯片和导线形成连通电路；通过封装工艺形成塑封体将芯片、导线和除金属层底面之外的部分金属层包裹；通过物理剥离方式将基板剥离。本发明通过快速成型技术代替了传统技术中的电镀技术，避免了产生金属毛刺、加工复杂和环境污染的问题，而且，采用金属层的结构，在最终形成的器件封装结构中去除基板也能实现电气连接，使得器件封装结构能够做得更薄。

附图说明