[发明专利]一种抛光设备在审
| 申请号: | 201711049908.1 | 申请日: | 2017-10-31 |
| 公开(公告)号: | CN109719614A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
| 发明(设计)人: | 三重野文健 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B57/02;B24B37/24;B24B37/34;B24B7/22 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 罗泳文 |
| 地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 研磨 晶圆 研磨垫 催化 抛光设备 固定盘 通孔 动力装置 激光装置 晶圆表面 激光 微缺陷 催化剂 催化反应 激光处理 生产效率 往返平移 旋转动力 | ||
1.一种抛光设备,其特征在于,所述抛光设备包括:
催化研磨垫,其表面包含有催化剂,所述催化研磨垫设置有可供激光通过的通孔;
第一动力装置,连接于所述催化研磨垫,并为所述催化研磨垫提供平行于所述催化研磨垫平面的周期往返平移运动的动力;
晶圆固定盘,用于固定待研磨晶圆,使得所述待研磨晶圆与所述催化研磨垫接触;
第二动力装置,连接于所述晶圆固定盘,为所述晶圆固定盘及所述待研磨晶圆提供旋转动力,并提供所述待研磨晶圆与所述催化研磨垫的压力;以及
激光装置,设置于所述催化研磨垫下方,通过所述催化研磨垫的通孔,对所述待研磨晶圆表面进行激光处理。
2.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于:还包括一液体循环系统,包括:
容置槽,环绕于所述催化研磨垫,并为所述催化研磨垫提供反应液体;
进液装置,用于为所述容置槽提供反应液体;以及
排液装置,用于将所述容置槽中的反应液体排出。
3.根据权利要求2所述的抛光设备,其特征在于:所述进液装置提供的反应液体包含水(H2O)或过氧化氢(H2O2)的水溶液。
4.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于:所述催化剂包括铂(Pt)、钯(Pd)、钌(Ru)、镍(Ni)、钴(Co)、铬(Cr)及钼(Mo)所组成的群组中的一种或两种以上组合。
5.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于:所述待研磨晶圆包括碳化硅(SiC)晶圆及氮化镓(GaN)晶圆中的一种。
6.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于:所述第二动力装置提供所述待研磨晶圆与所述催化研磨垫的压力范围为500hpa~2000hpa。
7.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于:所述第二动力装置提供所述晶圆固定盘及所述待研磨晶圆的转速为不大于30rpm。
8.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于:所述第一动力装置控制所述催化研磨垫往返平移运动一个周期的总移动距离为不大于所述待研磨晶圆的直径。
9.根据权利要求8所述的抛光设备,其特征在于:所述通孔对应设置于所述待研磨晶圆起始位置的中部区域,使得所述催化研磨垫在周期往返平移运动的中始终可被激光照射。
10.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于:所述催化研磨垫设置的通孔数量为不小3个,且所述激光装置同时为所有所述通孔同时提供激光并照射至所述待研磨晶圆。
11.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于:所述催化研磨垫往返平移运动的速度为不大于5cm/sec。
12.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于:所述激光装置包含AlGaN基激光器。
13.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于:所述激光装置提供的激光为线型激光。
14.根据权利要求1所述的抛光设备,其特征在于:所述激光装置提供的激光波长范围为222nm~261nm,激光的功率范围为10mW~40mW。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司,未经上海新昇半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711049908.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





