[发明专利]一种化学机械研磨方法在审
申请号: | 201410339417.0 | 申请日: | 2014-07-16 |
公开(公告)号: | CN105328562A | 公开(公告)日: | 2016-02-17 |
发明(设计)人: | 魏红建 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | B24B37/10 | 分类号: | B24B37/10;B24B53/017 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种化学机械研磨方法,晶圆研磨前或开始后,将修整器置于研磨垫的边缘,使修整器向研磨垫中央移动,使研磨液均匀分布于研磨垫;当修整器到达研磨垫的中央区域时,抬升修整器脱离研磨垫回至初始位置;来回移动修整器至研磨液分布于研磨垫的整个区域。研磨结束后,将修整器置于研磨垫上中央区域,使修整器向研磨垫边缘移动,将研磨中副产物推向研磨垫之外;当修整器到达研磨垫边缘时,抬升修整器,使其脱离研磨垫回至研磨垫中央区域;来回移动修整器至研磨副产物被推向研磨垫之外。本发明实现了研磨液的均匀分布,研磨结束后,将研磨副产物推向研磨垫之外,有效修复了研磨垫,避免研磨垫长期积累副产物而导致划伤晶圆的情况。 | ||
搜索关键词: | 一种 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】:
一种化学机械研磨方法,其特征在于,该方法提供一研磨头和吸附于所述研磨头下表面的晶圆,用于实现晶圆研磨;该方法还包括以下步骤:(1)晶圆研磨前或开始后,提供研磨垫,和与所述研磨垫接触的一修整器;(2)将所述修整器置于所述研磨垫的边缘区域,对该修整器施加指向所述研磨垫表面的压力,并使该修整器逐渐向所述研磨垫中央区域移动,使研磨液分布于该研磨垫上表面;当所述修整器到达所述研磨垫的中央区域时,抬升所述修整器使其脱离所述研磨垫表面;(3)重复步骤(2)直至所述研磨液均匀分布于所述研磨垫上表面为止;(4)晶圆研磨结束后,将所述修整器置于所述研磨垫上表面的中央区域,使该修整器逐渐向所述研磨垫边缘区域移动,同时将晶圆研磨过程中的研磨副产物推向所述研磨垫之外;当所述修整器到达所述研磨垫的边缘区域时,将所述修整器抬升,使其脱离所述研磨垫的上表面;(5)重复步骤(4),直至所述研磨垫上的研磨副产物完全被推向所述研磨垫之外为止。
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