[发明专利]OLED基板的制作方法及OLED显示装置的制作方法有效
| 申请号: | 201711035471.6 | 申请日: | 2017-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN107863458B | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
| 发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址: | 430079湖北省武汉市东湖新技术开*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种OLED基板的制作方法及一种OLED显示装置的制作方法,包括步骤:提供一衬底基板;在所述衬底基板上依次形成第一金属层、第二金属层和第三金属层;在所述衬底基板上形成像素定义层;在所述第三金属层上形成发光层;其中,所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的成膜条件不同。本发明提供了一种OLED基板的制作方法及一种OLED显示装置的制作方法,通过改变阳极中第一金属层和第三金属层的成膜条件,从而减小第三金属层的蚀刻损失,使蒸镀的OLED有机发光材料全部落在第三金属层上,进而改善OLED的发光特性。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种OLED基板的制作方法及一种OLED显示装置的制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)单元是一种有机薄膜电致发光器件,其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、视角宽等优点。因此,利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。
相比现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor-liquid crystal display,TFT-LCD),有源矩阵有机发光二极管显示器(Active-matrixorganic light emitting diode, AMOLED)具有高对比度、广视角、低功耗、更轻更薄等优点,有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
如图1所示,传统的顶发射式AMOLED的在制作背部阳极 (anode)时,采用顶部金属层113/银112/底部金属层111的结构,银112用来做发射层、顶部金属层113和底部金属层111在物理气相成膜中采用相同的成膜参数;在阳极的湿性蚀刻时,分为顶部电极蚀刻、银蚀刻,底部金属层蚀刻三次蚀刻,由于在底部金属层蚀刻时,顶部金属层113再一次被蚀刻,因此,顶部金属层113的损失很大,导致后续蒸镀的OLED有机发光材料12会落在银112上面,影响OLED的发光。
发明内容
本发明提供了一种OLED基板的制作方法及一种OLED显示装置的制作方法,以解决OLED背部阳极中顶部金属层蚀刻损失过大,有机发光材料直接落在银上面,影响OLED发光的问题。
为实现上述目的,本发明提供的技术方案如下:
根据本发明的一个方面,提供了一种OLED基板的制作方法,所述制作方法包括如下步骤:
步骤S10、提供一衬底基板;
步骤S20、在所述衬底基板上形成阳极层,所述阳极层包括层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;
步骤S30、在所述第二金属层上形成像素定义层,所述像素定义层包括至少两个像素定义体,其中,第三金属层位于相邻所述像素定义体之间;
步骤S40、在所述第三金属层上形成发光层,所述发光层与所述第三金属层对应设置,所述发光层位于相邻所述像素定义体之间;
其中,所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层的成膜条件不同。
根据本发明一优选实施例在所述衬底基板上形成所述阳极层的步骤包括:
步骤S201、在水预设流量为4~6标准毫升/分钟的条件下,形成所述第一金属层;
步骤S202、在所述第一金属层的表面蒸镀形成所述第二金属层;
步骤S203、在水预设流量为1~2标准毫升/分钟的条件下,在所述第二金属层的表面形成所述第三金属层;
步骤S204、依次对所述第三金属层、所述第二金属层、所述第一金属层进行蚀刻,获得所需阳极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





