[发明专利]OLED基板的制作方法及OLED显示装置的制作方法有效
| 申请号: | 201711035471.6 | 申请日: | 2017-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN107863458B | 公开(公告)日: | 2019-11-15 |
| 发明(设计)人: | 李松杉 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址: | 430079湖北省武汉市东湖新技术开*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 制作方法 显示装置 | ||
1.一种OLED基板的制作方法,其特征在于,所述OLED基板的制作方法包括如下步骤:
S10、提供一衬底基板;
S20、在所述衬底基板上形成阳极层,所述阳极层包括依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层,
步骤S20包括:
S201、在水预设流量为4~6标准毫升/分钟的条件下,形成所述第一金属层,
S202、在所述第一金属层的表面蒸镀形成所述第二金属层,
S203、在水预设流量为1~2标准毫升/分钟的条件下,在所述第二金属层的表面形成所述第三金属层,
S204、依次对所述第三金属层、所述第二金属层、所述第一金属层进行蚀刻,获得所需阳极层;
S30、在所述第二金属层上形成像素定义层,所述像素定义层包括至少两个像素定义体,其中,第三金属层位于相邻所述像素定义体之间;
S40、在所述第三金属层上形成发光层,所述发光层与所述第三金属层对应设置,所述发光层位于相邻所述像素定义体之间。
2.根据权利要求1所述的OLED基板的制作方法,其特征在于,所述第一金属层和所述第三金属层为ITO,所述第二金属层为银。
3.根据权利要求1所述的OLED基板的制作方法,其特征在于,依次对所述第三金属层、第二金属层、第一金属层蚀刻的工艺为湿性蚀刻。
4.根据权利要求1所述的OLED基板的制作方法,其特征在于,采用物理气相沉积技术分别对所述第一金属层和所述第三金属层进行成膜。
5.根据权利要求1所述的OLED基板的制作方法,其特征在于,所述像素定义层的制备材料为聚酰亚胺。
6.一种OLED显示装置的制作方法,其特征在于,所述OLED显示装置的制作方法包括如下步骤:
S10、提供一衬底基板;
S20、在所述衬底基板上形成阳极层,所述阳极层包括依次层叠设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层,
步骤S20包括:
S201、在水预设流量为4~6标准毫升/分钟的条件下,形成所述第一金属层,
S202、在所述第一金属层的表面蒸镀形成所述第二金属层,
S203、在水预设流量为1~2标准毫升/分钟的条件下,在所述第二金属层的表面形成所述第三金属层,
S204、依次对所述第三金属层、所述第二金属层、所述第一金属层进行蚀刻,获得所需阳极层;
S30、在所述第二金属层上形成像素定义层,所述像素定义层包括至少两个像素定义体,其中,第三金属层位于相邻所述像素定义体之间;
S40、在所述第三金属层上形成发光层,所述发光层与所述第三金属层对应设置,所述发光层位于相邻所述像素定义体之间;
S50、在所述发光层的表面涂布阴极;
S60、在所述阴极的表面形成封装薄膜层。
7.根据权利要求6所述的OLED显示装置的制作方法,其特征在于,所述第一金属层和第三顶部金属层为ITO,所述第二金属层为银。
8.根据权利要求6所述的OLED显示装置的制作方法,其特征在于,采用物理气相沉积技术分别对所述第一金属层和所述第三金属层进行成膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





