[发明专利]一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法在审

专利信息
申请号: 201711029444.8 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN107833983A 公开(公告)日: 2018-03-23
发明(设计)人: 宋平;王菲菲;郭远征;王有为;蔡鹏;肖志慧 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 代理人: 张雨竹
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 掩膜板 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种掩膜板,其特征在于,包括掩膜板本体,所述掩膜板本体包括至少一个开口区;

非金属掩膜层设置于所述掩膜板本体上,且在所述开口区,所述非金属掩膜层包括若干子像素蒸镀孔。

2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述非金属掩膜层的材料为聚酰亚胺。

3.根据权利要求1或2所述的掩膜板,其特征在于,所述非金属掩膜层的厚度在5~10μm之间。

4.一种掩膜板的制备方法,其特征在于,包括:

在掩膜板本体上形成非金属掩膜层;所述掩膜板本体包括至少一个开口区;其中,所述非金属掩膜层充满所述开口区;

采用构图工艺,在所述开口区的所述非金属掩膜层上形成若干子像素蒸镀孔。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在所述掩膜板本体上形成所述非金属掩膜层之前,所述方法还包括:

将所述掩膜板本体置于机台上,使所述机台与所述掩膜板本体的所述开口区靠近掩膜板框架一侧贴合。

6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,还包括:

当所述非金属掩膜层上的所述子像素蒸镀孔出现位置偏差,且位置偏差超出规格时,去除所述非金属掩膜层,并在去除所述非金属掩膜层的所述掩膜板本体上形成新的所述非金属掩膜层。

7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述非金属掩膜层的材料包括聚酰亚胺。

8.根据权利要求4-7任一项所述的制备方法,其特征在于,所述非金属掩膜层的厚度在5~10μm之间。

9.一种基板的制备方法,其特征在于,包括:

采用权利要求1-3任一项所述的掩膜板,通过蒸镀工艺形成位于每个子像素区域的图案层;

其中,所述掩膜板的一个开口区对应一个基板的显示区。

10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述图案层包括OLED器件的有机材料功能层。

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