[发明专利]一种掩膜板及其制备方法、基板的制备方法在审
申请号: | 201711029444.8 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107833983A | 公开(公告)日: | 2018-03-23 |
发明(设计)人: | 宋平;王菲菲;郭远征;王有为;蔡鹏;肖志慧 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 张雨竹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 掩膜板 及其 制备 方法 | ||
1.一种掩膜板,其特征在于,包括掩膜板本体,所述掩膜板本体包括至少一个开口区;
非金属掩膜层设置于所述掩膜板本体上,且在所述开口区,所述非金属掩膜层包括若干子像素蒸镀孔。
2.根据权利要求1所述的掩膜板,其特征在于,所述非金属掩膜层的材料为聚酰亚胺。
3.根据权利要求1或2所述的掩膜板,其特征在于,所述非金属掩膜层的厚度在5~10μm之间。
4.一种掩膜板的制备方法,其特征在于,包括:
在掩膜板本体上形成非金属掩膜层;所述掩膜板本体包括至少一个开口区;其中,所述非金属掩膜层充满所述开口区;
采用构图工艺,在所述开口区的所述非金属掩膜层上形成若干子像素蒸镀孔。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,在所述掩膜板本体上形成所述非金属掩膜层之前,所述方法还包括:
将所述掩膜板本体置于机台上,使所述机台与所述掩膜板本体的所述开口区靠近掩膜板框架一侧贴合。
6.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,还包括:
当所述非金属掩膜层上的所述子像素蒸镀孔出现位置偏差,且位置偏差超出规格时,去除所述非金属掩膜层,并在去除所述非金属掩膜层的所述掩膜板本体上形成新的所述非金属掩膜层。
7.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,所述非金属掩膜层的材料包括聚酰亚胺。
8.根据权利要求4-7任一项所述的制备方法,其特征在于,所述非金属掩膜层的厚度在5~10μm之间。
9.一种基板的制备方法,其特征在于,包括:
采用权利要求1-3任一项所述的掩膜板,通过蒸镀工艺形成位于每个子像素区域的图案层;
其中,所述掩膜板的一个开口区对应一个基板的显示区。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述图案层包括OLED器件的有机材料功能层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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