[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板，包括：设置于衬底基板上的栅极、第一有源层、第二有源层、第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，第一有源层位于栅极朝向衬底基板的一侧，第二有源层位于栅极背向第一有源层的一侧，第一源极与第一漏极位于第一有源层背向栅极的一侧且均与第一有源层连接，第二源极与第二漏极位于第二有源层背向栅极的一侧且均与第二有源层连接；第一漏极和第二漏极的平行于衬底基板的截面形状均为环形，第一漏极环绕第一源极，第二漏极环绕第二源极；第一源极与第二源极电连接，第一漏极与第二漏极电连接。本发明的技术方案可在减小薄膜晶体管的尺寸的同时，还能提升薄膜晶体管在饱和区输出电流的稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板。

背景技术

在通过电流驱动图像显示的显示装置中，驱动电路中薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，简称TFT)漏极输出电流稳定性会直接影响显示装置的显示效果。

利用TFT在饱和区的电流特性可以获得稳定的输出电流，此时薄膜晶体管输出的电流与源漏电压的大小无关(TFT的输出电阻是无限大)，与栅源电压以及TFT的沟道宽长比相关。然而，当薄膜晶体管的漏极电压达到一定程度时，沟道中会出现夹断区域，即沟道的长度会减小，沟道宽长比发生变化。此时，沟道宽长比变化会导致TFT输出的电流发生较大波动，进而影响显示装置的显示效果。

此外，现有的TFT尺寸较大，当其应用于显示装置中时，会导致像素开口率较小。根据行业标准，显示器的发光亮度要达到一定值，所以当开口率较小时，就意味着单位面积的开口区必须发出更高的亮度来弥补。但是，提高单元面积开口区的发光亮度会大大加速发光材料的寿命的衰减。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板。

为实现上述目的，本发明提供了一种薄膜晶体管，包括：设置于衬底基板上的栅极、第一有源层、第二有源层、第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述第一有源层位于所述栅极朝向所述衬底基板的一侧，所述第二有源层位于所述栅极背向所述第一有源层的一侧，所述第一源极与所述第一漏极位于所述第一有源层背向所述栅极的一侧且均与所述第一有源层连接，所述第二源极与所述第二漏极位于所述第二有源层背向所述栅极的一侧且均与所述第二有源层连接；

所述第一漏极和所述第二漏极的平行于所述衬底基板的截面形状均为环形，所述第一漏极环绕所述第一源极，所述第二漏极环绕所述第二源极；

所述第一源极与所述第二源极电连接，所述第一漏极与所述第二漏极电连接。

可选地，还包括：第一导电图形和第二导电图形；

所述第一导电图形位于所述第一源极背向所述第一有源层的一侧，所述第一导电图形与所述第一有源层之间形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第一过孔，所述第一源极和所述第一导电图形通过所述第一过孔连接，所述第一导电图形延伸至所述第一漏极所限定的区域外；

所述第二导电图形位于所述第二源极背向所述第二有源层的一侧，所述第二导电图形与所述第二有源层之间形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第二过孔，所述第二源极和所述第二导电图形通过所述第二过孔连接，所述第二导电图形延伸至所述第二漏极所限定的区域外；

所述第一导电图形位于所述第一漏极所限定的区域外的部分与所述第二导电图形位于所述第二漏极所限定的区域外的部分连接。

可选地，还包括：第三导电图形和第四导电图形；

所述第三导电图形与所述第一漏极同层设置且与所述第一漏极连接；

所述第四导电图形与所述第二漏极同层设置且与所述第二漏极连接；

所述第三导电图形与所述第四导电图形连接。