[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板

说明书

本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，用以简化薄膜晶体管制备工艺流程、降低薄膜晶体管制备工艺难度。本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：衬底基板、在所述衬底基板上设置的第一电极层和与所述第一电极层连接的有源层、在所述有源层之上依次设置的第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、在所述第二绝缘层之上设置的第三电极层和第四电极层；所述第三电极层通过第一过孔与所述有源层连接，所述第四电极层通过第二过孔与所述有源层连接，所述第一过孔和所述第二过孔至少设置在所述第二绝缘层中，所述第一过孔和所述第二过孔从所述第二绝缘层延伸至所述有源层并且暴露所述有源层。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板。

背景技术

低温多晶硅阵列基板由于具有高迁移率、其薄膜晶体管尺寸可以做得很小且反应速度快等优点，越来越多的应用于在高分辨率、高画质的有机电致发光显示和液晶显示面板，尤其是在柔性显示领域起到了越来越重要的作用。高分辨率的显示面板中，需要对小尺寸的薄膜晶体管和电极连线进行设计，电极连线的空间小，布线难度大，现有技术中通常采用双层电极布线来降低显示面板的布线难度，即独立设置两层源漏极金属层。现有技术中设置双层电极布线的薄膜晶体管阵列基板结构，是在形成有源层、栅极、源极、漏极等结构之后，再在第一层源漏电极金属层之上继续设置绝缘层、平坦层等隔离层，之后在隔离层上沉积金属材料、刻蚀形成第二层源漏电极金属层。综上，现有技术中包括双层电极布线的薄膜晶体管阵列基板除了需要增加源漏电极层，还需要增加绝缘层、平坦化层等结构，包括双层电极布线的薄膜晶体管阵列基板结构复杂，制备双层电极布线的薄膜晶体管阵列基板工艺流程复杂，工艺难度高，并且在包括绝缘层和平坦层的隔离层之上沉积、刻蚀第二层源漏极电极金属层，容易出现过刻而造成隔离层受损，影响产品可靠性。

发明内容

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板，用以简化薄膜晶体管制备工艺流程、降低薄膜晶体管制备工艺难度。

本申请实施例提供的一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：衬底基板、在所述衬底基板上设置的第一电极层和与所述第一电极层连接的有源层、在所述有源层之上依次设置的第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、在所述第二绝缘层之上设置的第三电极层和第四电极层；所述第三电极层通过第一过孔与所述有源层连接，所述第四电极层通过第二过孔与所述有源层连接，所述第一过孔和所述第二过孔至少设置在所述第二绝缘层中，所述第一过孔和所述第二过孔从所述第二绝缘层延伸至所述有源层并且暴露所述有源层。

本申请实施例提供的薄膜晶体管，通过在衬底基板上设置第一电极层和与第一电极层连接的有源层，且在有源层之上一次设置第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、第三电极层和第四电极层，与有源层连接的第一电极层相当于第一层源漏电极层，与有源层连接的第三电极层和第四电极层相当于第二层源漏电极层，当本申请实施例提供的薄膜晶体管应用于显示器件中，独立设置两层源漏电极层，可以在将薄膜晶体管尺寸设置得较小的情况下降低产品的布线难度，提高产品的分辨率，并且本申请实施例提供的薄膜晶体管，在增加一层电极层的情况下无需增设其它结构，即可实现薄膜晶体管包括独立设置的两层源漏电极层，薄膜晶体管结构简单，相比于现有技术的包括两层电极的薄膜晶体管，简化了薄膜晶体管制备工艺流程，降低了薄膜晶体管制备工艺难度，节约了薄膜晶体管制备成本，并且由于无需增设绝缘层、平坦层等隔离层，从而可以避免金属层刻蚀工艺对隔离层的破坏，进而避免影响产品可靠性；当阵列基板包括薄膜晶体管时，进而简化了阵列基板制备的工艺流程、降低了阵列基板制备的工艺难度。

可选地，所述薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层至少设置在所述有源层与所述衬底基板之间。

从而缓冲层可以避免衬底基板与有源层直接接触，从而可以阻隔水氧、防止衬底基板中的物质影响有源层的性能，进而可以提高薄膜晶体管的可靠性和工作稳定性。

可选地，所述有源层位于所述第一电极层和所述缓冲层之上，所述缓冲层通过图形化工艺形成。