[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，该薄膜晶体管包括：衬底基板、在所述衬底基板上设置的第一电极层和与所述第一电极层连接的有源层、在所述有源层之上依次设置的第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、以及在所述第二绝缘层之上设置的第三电极层和第四电极层；所述第三电极层通过第一过孔与所述有源层连接，所述第四电极层通过第二过孔与所述有源层连接，所述第一过孔和所述第二过孔至少设置在所述第二绝缘层中，所述第一过孔和所述第二过孔从所述第二绝缘层延伸至所述有源层并且暴露所述有源层；所述第一电极层与所述有源层位于同层；

所述有源层的材料包括下列之一或其组合：多晶硅、非晶硅、氧化物半导体材料；

所述第一电极层的材料包括下列之一或其组合：钼、铝、银、钛、铝钕合金、钨钼合金。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层至少设置在所述有源层与所述衬底基板之间。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层的材料包括下列之一或其组合：氧化硅、氮化硅。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述衬底基板的材料包括下列之一或其组合：玻璃、聚酰亚胺；

所述第二电极层、所述第三电极层和所述第四电极层的材料包括下列之一或其组合：钼、铝、银、钛、铝钕合金、钨钼合金；

所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材料包括下列之一或其组合：氧化硅、氮化硅。

5.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求1～4任一项所述的薄膜晶体管。

6.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求5所述的阵列基板。

7.一种薄膜晶体管制备方法，其特征在于，该方法包括：

设置衬底基板；

在所述衬底基板上设置第一电极层和有源层，所述第一电极层与所述有源层连接；

在所述有源层之上依次设置第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层；

设置第一过孔和第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔至少设置在所述第二绝缘层中，所述第一过孔和所述第二过孔从所述第二绝缘层延伸至所述有源层并且暴露所述有源层；

在所述第二绝缘层之上设置第三电极层和第四电极层，所述第三电极层通过所述第一过孔与所述有源层连接，所述第四电极层通过所述第二过孔与所述有源层连接；

其中，所述第一电极层与所述有源层位于同层；所述有源层的材料包括下列之一或其组合：多晶硅、非晶硅、氧化物半导体材料；所述第一电极层的材料包括下列之一或其组合：钼、铝、银、钛、铝钕合金、钨钼合金。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在设置所述有源层之前，该方法还包括在所述衬底基板上设置缓冲层，所述缓冲层至少设置在所述衬底基板与所述有源层之间。