[发明专利]延时调制电路和包含延时调制电路的半导体存储器

说明书

技术领域

本发明涉及半导体存储器技术领域，特别涉及一种延时调制电路和包含延时调制电路的半导体存储器。

背景技术

在存储器设计中，经常会用到一些大的延时模块。比如在动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)中，需要延时模块去控制tRAS或者tRFC，或者控制一些省电电路的开启关闭时间。通常使用基本的阻容(RC)去产生延时，然而，计数通常随着芯片的工作电压和温度等因素的变化，延时会有很大的变化。在某些时候，延时的大幅度变化会带来不利的影响。

因此，需要具有一种延时电路，该延时电路可以实现当芯片的工作电压和温度变化时，其延时基本不变，从而可以得到更好的性能。

在背景技术中公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此其可能包含没有形成为本领域普通技术人员所知晓的现有技术的信息。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例希望提供一种延时调制电路和包含延时调制电路的半导体存储器，以至少解决现有技术中存在的问题。

本发明实施例的技术方案是这样实现的，根据本发明的一个方面，提供了一种延时调制电路，所述延时调制电路包括：

信号输入控制模块，具有第一输入导入端、第二输入导入端以及输入导出端；

延时模块，具有第一延时输入端、第二延时输入端、第一延时输出端以及第二延时输出端，所述输入导出端与所述第一延时输入端连接，并且所述第二延时输入端与所述第一延时输出端连接；以及

计数模块，具有第一计数输入端、第二计数输入端以及计数输出端，所述第一计数输入端与所述第二延时输出端连接，所述第二计数输入端与所述输入导出端连接，并且所述计数输出端与所述第二输入导入端连接；

其中，所述延时模块被施加稳压调制电压。

根据本发明的该实施例，能够实现当芯片的工作参数改变时延时基本不变，从而能够使芯片的性能更佳。

在一个具体实施例中，所述延时调制电路还包括信号输出控制模块，所述信号输出控制模块具有第一输出导入端、第二输出导入端和输出导出端，并且所述第一输出导入端与所述第一输入导入端连接，所述第二输出导入端与所述输入导出端连接。根据本实施例，能够使得输出信号得到稳定的延时。

在一个具体实施例中，所述延时模块包括逻辑门电路和延时电路，所述逻辑门电路和延时电路串联，所述延时电路具有至少一个延时单元，且当具有多个延时单元时，多个延时单元为串联连接，串联的最后一个延时单元的输出端作为所述延时模块的输出端；所述逻辑门电路具有第一逻辑门输入端、第二逻辑门输入端和逻辑门输出端，所述第一逻辑门输入端作为所述第一延时输入端，所述第二逻辑门输入端作为所述第二延时输入端，所述逻辑门输出端连接所述延时电路的输入端。

根据一个具体实施例，每个所述延时单元包括串联的阻容RC振荡电路和反相器。具体地，所述串联的最后一个延时单元的反相器的输入端作为所述第一延时输出端连接所述第二延时输入端。

根据一个具体实施例，所述延时模块的稳压调制电压被施加在所述第一逻辑门以及所述反相器上。具体地，所述逻辑门电路为与非门电路。

在一个具体实施例中，所述信号输入控制模块包括串联的低脉冲产生电路和RS锁存器，所述低脉冲产生电路的输入端作为所述第一输入导入端，用于接收输入信号，所述低脉冲产生电路的输出端连接所述RS锁存器的第一输入端；所述RS锁存器的第二输入端作为所述第二输入导入端，所述RS锁存器的输出端作为所述输入导出端。

具体地，所述计数模块被施加所述稳压调制电压。根据本实施例，可以使得计数模块的输出稳定。

根据一个具体实施例，所述稳压调制电压是由所述延时调制电路所在芯片的内部稳压电源或者由所述芯片的外部稳压电源施加的电压。根据该实施例，能够提供与芯片的工作参数无关的调制电压从而产生稳定的延时。

本发明的另一方面还提供了一种半导体存储器，该半导体存储器包括以上方面以及其具体实施例中的延时调制电路。

根据本发明的延时调制电路，可以实现当电压和温度改变时，延时基本不变，从而可以得到更好的性能。

上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本发明进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。

附图说明