[发明专利]一种芯片的封装方法有效
| 申请号: | 201711013280.X | 申请日: | 2017-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN107833860B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
| 发明(设计)人: | 沈戌霖;袁文杰;徐雯;王宥军 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王宝筠 |
| 地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 芯片 封装 方法 | ||
1.一种芯片的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括:
提供一晶圆,所述晶圆具有相对设置的第一表面以及第二表面,所述第一表面包括多个功能区域,所述功能区域之间具有切割沟道;
在所述晶圆的第一表面键合第一保护基板,在所述第二表面形成互联结构,所述互联结构用于和外部电路连接;
在所述第一表面的所述功能区域内形成功能结构以及第一焊垫,包括:在所述晶圆朝向所述第二表面的一侧键合第二保护基板,所述第二保护基板用于对所述互联结构进行保护以及作为承载基板;去除所述第一表面的第一保护基板;在所述功能区域内形成所述功能结构以及第一焊垫;所述功能结构与所述第一焊垫连接,所述第一焊垫与所述互联结构连接;通过半导体制作工艺形成具有温度敏感材料的所述功能结构;
基于所述切割沟道对所述晶圆进行切割,形成多个单粒的芯片。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述在所述晶圆的第二表面形成互联结构包括:
对所述第二表面进行减薄处理;
在所述第二表面形成贯穿所述晶圆的通孔,所述通孔用于暴露出所述第一表面用于设置所述第一焊垫的区域;
在所述第二表面以及所述通孔内形成所述互联结构。
3.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述在所述晶圆的第一表面键合第一保护基板包括:
通过UV胶在所述第一表面粘结固定所述第一保护基板。
4.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述对所述第二表面进行减薄处理包括:
通过研磨工艺、或是刻蚀工艺、或是研磨工艺与刻蚀工艺结合对所述第二表面进行减薄处理。
5.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述在所述第二表面形成贯穿所述晶圆的通孔包括:
在所述第二表面形成贯穿所述晶圆的直孔,在由所述第二表面指向所述第一表面的方向上,所述直孔的宽度不变。
6.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述在所述第二表面形成贯穿所述晶圆的通孔包括:
在所述第二表面形成贯穿所述晶圆的梯形孔,在由所述第二表面指向所述第一表面的方向上,所述梯形孔的宽度逐渐降低。
7.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述在所述第二表面形成贯穿所述晶圆的通孔包括:
在所述第二表面对应用于设置所述第一焊垫的区域形成凹槽;
在所述凹槽内形成贯穿所述晶圆的过孔,在由所述第二表面指向所述第一表面的方向上,所述过孔的宽度逐渐降低。
8.根据权利要求2所述的封装方法,其特征在于,所述在所述第二表面以及所述通孔内形成所述互联结构包括:
形成覆盖所述通孔以及所述第二表面的第一绝缘层;
在所述第一绝缘层对应所述通孔的位置形成开口,以露出用于设置所述第一焊垫的区域;
形成覆盖所述第一绝缘层以及所述开口的重布线层;
形成覆盖所述重布线层的第二绝缘层;
在所述第二绝缘层表面形成开口;
在所述第二绝缘层表面的开口形成第二焊垫,所述第二焊垫用于和所述外部电路连接。
9.根据权利要求8所述的封装方法,其特征在于,通过激光打孔方法在所述第一绝缘层以及第二绝缘层表面形成相应开口。
10.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述第一保护基板为透明基板,且所述第一保护基板与所述晶圆通过UV胶粘结固定;
所述去除所述第一表面的第一保护基板包括:
通过紫外光照射所述第一保护基板,使得所述UV胶失去粘性,以去除所述第一表面的第一保护基板。
11.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,还包括:
在切割之前,对所述功能结构以及所述第一焊垫进行密封保护。
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