[发明专利]存储器装置及其操作方法有效
申请号: | 201711013055.6 | 申请日: | 2017-10-26 |
公开(公告)号: | CN108511010B | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 李熙烈 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/12 | 分类号: | G11C7/12;G11C8/08;G11C8/18 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 及其 操作方法 | ||
本公开包括一种存储器装置及其操作方法,该存储器装置包括存储器块,该存储器块联接至在第一选择线与第二选择线之间彼此平行布置的多条字线。还包括外围电路,所述外围电路将验证电压和流通电压供应给第一选择线、第二选择线和字线,选择性地使第一选择线、第二选择线和字线放电,并且验证联接至字线中的所选字线的存储器单元。另外包括控制逻辑,该控制逻辑控制外围电路以使得在验证存储器单元之后所选字线、未选字线以及第一选择线和第二选择线的电位彼此相同,并且在使所选字线和未选字线放电之后第一选择线和第二选择线放电。
技术领域
各种实施方式总体上涉及存储器装置及其操作方法,更具体地,涉及存储器装置的验证操作和读取操作。
背景技术
存储器装置可具有相对于半导体基板在水平方向上布置串的二维结构或者相对于半导体装置在垂直方向上布置串的三维结构。已设计出三维结构的存储器装置以克服二维结构的存储器装置的有限集成密度。三维结构的存储器装置可包括在半导体装置的垂直方向上层叠的多个存储器单元。
发明内容
各种实施方式涉及一种能够改进存储器装置的可靠性的存储器装置以及操作该存储器装置的方法。
根据实施方式的存储器装置可包括:存储器块,其联接至在第一选择线与第二选择线之间彼此平行布置的多条字线;外围电路,其将验证电压和流通电压供应给第一选择线、第二选择线和字线,选择性地使第一选择线、第二选择线和字线放电,并且验证联接至字线中的所选字线的存储器单元;以及控制逻辑,其控制外围电路以使得在验证存储器单元之后所选字线、未选字线以及第一选择线和第二选择线的电位彼此相同,并且在使所选字线和未选字线放电之后使第一选择线和第二选择线放电。
根据实施方式的操作存储器装置的方法可包括:将流通电压施加至字线当中的未选字线以及选择线;通过将验证电压施加至字线当中的所选字线来验证联接至所选字线的存储器单元;当流通电压被施加至未选字线和选择线时将导通电压施加至所选字线;使所选字线和未选字线放电;以及在使所选字线和未选字线放电之后使选择线放电。
附图说明
图1是示出根据实施方式的存储器系统的示图;
图2是示出图1所示的存储器装置的示图;
图3是示出图2所示的存储器块的示图;
图4是示出具有三维结构的存储器块的实施方式的示图;
图5是示出具有三维结构的存储器块的实施方式的示图;
图6和图7是示出根据本发明的实施方式的编程操作的示图;
图8至图10是示出根据本发明的实施方式的验证操作的示图;
图11是示出根据本发明的实施方式的字线组的示图;
图12是示出根据另一实施方式的字线组的示图;
图13和图14是示出根据实施方式的验证操作的示图;
图15和图16是示出根据实施方式的读取操作的示图;
图17是示出包括图2所示的存储器装置的存储器系统的另一实施方式的示图;
图18是示出包括图2所示的存储器装置的存储器系统的另一实施方式的示图;
图19是示出包括图2所示的存储器装置的存储器系统的另一实施方式的示图;以及
图20是示出包括图2所示的存储器装置的存储器系统的另一实施方式的示图。
具体实施方式
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