[发明专利]用于RC‑IGBT晶圆背面加工的基片

说明书

技术领域

本发明涉及一种基片，尤其是一种用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，属于微电子的技术领域。

背景技术

RC-IGBT晶圆背面表面需要形成图形化分布的P型掺杂和N型掺杂交错的区域。为了在RC-IGBT晶圆背面形成图形化的P型掺杂和N型掺杂交错的区域，目前主流的加工方法是对P型杂质进行整体注入，N型杂质进行图形化注入，其中，N型杂质的掺杂浓度远大于P型杂质的掺杂浓度，然后通过激活杂质形成P型掺杂和N型掺杂交错的图形。

现有技术中，RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入需要进行光刻加工工序，过程如下：通过晶圆背面进行涂光刻胶，使用背面N型图形光刻版进行曝光，然后显影后形成N型掺杂的注入阻挡层，对晶圆背面进行整体注入，去除剩余光刻胶图形。

因此，现有技术中需要对RC-IGBT晶圆背面进行光刻加工工序，导致晶圆背面光刻加工工序成本高、生产周期长，不利于RC-IGBT进一步发展。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种用于RC-IGBT 晶圆背面加工的基片，其结构紧凑，能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，使用方便，安全可靠。

按照本发明提供的技术方案，所述用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，包括能键合于RC-IGBT晶圆背面的基片体，所述基片体的形状与待键合的 RC-IGBT晶圆的形状相一致，在基片体上设有注入图形，基片体键合于RC-IGBT 晶圆的背面后，利用基片体的注入图形能向RC-IGBT晶圆的背面注入所需的N 型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N 型掺杂区域。

所述基片体呈圆形，基片体上设置缺角或缺口。

所述基片体的材料包括玻璃。

所述基片体的厚度为待键合RC-IGBT晶圆厚度的1/5～1/2。

所述基片体的厚度为50μm～300μm。

注入图形包括若干贯通基片体的圆孔，圆孔在基片体上呈矩形或品字形均匀排列。

本发明的优点：基片体能键合在RC-IGBT晶圆的背面，利用基片体上的注入图形对RC-IGBT晶圆进行N型离子注入，能在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域，基片体与RC-IGBT晶圆分离后，能重复使用；基片体直接与RC-IGBT晶圆键合后即能进行N型杂质离子的注入，能够省去RC-IGBT 晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，使用方便，安全可靠。。

附图说明

图1为本发明基片体的一种结构示意图。

图2为本发明基片体的另一种结构示意图。

附图标记说明：1-基片体、2-缺角以及3-缺口与4-圆孔。

具体实施方式

下面结合具体附图和实施例对本发明作进一步说明。

为了能够省去RC-IGBT晶圆背面N型杂质图形化注入所需的光刻工序，有效缩短RC-IGBT晶圆的加工周期，降低加工成本，本发明包括能键合于 RC-IGBT晶圆背面的基片体1，所述基片体1的形状与待键合的RC-IGBT晶圆的形状相一致，在基片体1上设有注入图形，基片体1键合于RC-IGBT晶圆的背面后，利用基片体1的注入图形能向RC-IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。

具体地，所述基片体1的材料包括玻璃，当然，基片体1也可以采用其他能与RC-IGBT晶圆键合的材料，具体材料的类型可以根据需要进行选择，此处不再赘述。基片体1的形状与待键合的RC-IGBT晶圆相一致，从而当基片体1 键合于RC-IGBT晶圆的背面后，能与RC-IGBT晶圆的背面有效对应，提高对 RC-IGBT晶圆进行N型杂质离子注入的可靠性。在具体实施是，在N型杂质离子注入前的工艺等均可以采用现有常用的工艺步骤，而在进行N型杂质离子注入时，所需的工艺条件等均与现有相同，不会增加N型杂质离子注入的复杂度。