[发明专利]用于RC‑IGBT晶圆背面加工的基片在审
| 申请号： | 201711012226.3 | 申请日： | 2017-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107706143A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 许生根;张金平;杨晓鸾;姜梅 | 申请（专利权）人： | 江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/265 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司32293 | 代理人： | 韩凤 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市无锡新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 rc igbt 背面 加工 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：包括能键合于RC-IGBT晶圆背面的基片体(1)，所述基片体(1)的形状与待键合的RC-IGBT晶圆的形状相一致，在基片体(1)上设有注入图形，基片体(1)键合于RC-IGBT晶圆的背面后，利用基片体(1)的注入图形能向RC-IGBT晶圆的背面注入所需的N型杂质离子，以通过注入的N型杂质离子在RC-IGBT晶圆的背面形成所需的N型掺杂区域。
2.根据权利要求1所述的用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：所述基片体(1)呈圆形，基片体(1)上设置缺角(2)或缺口(3)。
3.根据权利要求1或2所述的用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：所述基片体(1)的材料包括玻璃。
4.根据权利要求1或2所述的用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：所述基片体(1)的厚度为待键合RC-IGBT晶圆厚度的1/5～1/2。
5.根据权利要求1所述的用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：所述基片体(1)的厚度为50μm～300μm。
6.根据权利要求1或2或5所述的用于RC-IGBT晶圆背面加工的基片，其特征是：注入图形包括若干贯通基片体(1)的圆孔，圆孔在基片体(1)上呈矩形或品字形均匀排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
