[发明专利]一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及纳米LED领域，特别是一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法。

背景技术

目前，发光二极管(LED)具有体积小、发光效率高、节能、环保等优点，目前已经在照明和显示领域占据主导地位，它已经成为21世纪照明和显示领域的发展趋势。随着社会和科技的发展进步，人们对LED的要求越来越高，特别是大功率、高光效的LED受到了人们的青睐。为了实现大功率、高光效的纳米发光二极管，需要在散热和出光效率方面对纳米发光二极管进行优化改进。

发明内容

为解决上述问题，本发明的目的在于提供一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法，能够优化纳米发光二极管的出光效率和散热性能。

本发明解决其问题所采用的技术方案是：

一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：制作长条阵列式纳米发光二极管所需要的掩膜板；

S2：在衬底上设置LED外延片；

S3：进行光刻处理，从而获得长条阵列式纳米发光二极管的图案；

S4：进行刻蚀处理，从而初步获得长条阵列式纳米发光二极管原型；

S5：在长条阵列式纳米发光二极管原型的表面镀制SiO₂膜层；

S6：在SiO₂膜层表面镀制Ag金属材料，然后进行退火处理，促使上述Ag金属材料在SiO₂膜层表面生成由Ag纳米粒子均匀分布形成的Ag金属膜层；

S7：设置电极位置并进行套刻处理，除去电极位置的SiO₂膜层和Ag金属膜层；

S8：制备电极；

S9：进行激光裂片处理。

进一步地，所述步骤S1中掩膜板预留了便于进行分割的激光轨道，所述的激光轨道的形状为环形或者同心矩形。

进一步地，所述步骤S6中退火处理时的温度为750－950℃，退火时间为0.5－5分钟。

一种纳米发光二极管，其特征在于：包括衬底、纳米LED单体、SiO₂膜层和由Ag纳米粒子均匀分布形成的Ag金属膜层，所述纳米LED单体设置在衬底上，所述SiO₂膜层和Ag金属膜层依次设置在纳米LED单体的四周侧面上。

进一步地，包括一个以上纳米LED单体，所述纳米LED单体在衬底上呈阵列式排列。

进一步地，所述纳米LED单体由上至下依次为P－GaN层、量子阱和N－GaN层，所述所有纳米LED单体的N－GaN层之间相互连接。

进一步地，所述纳米LED单体由上至下依次为N－GaN层、量子阱和P－GaN层，所述所有纳米LED单体的P－GaN层之间相互连接。

进一步地，还包括ITO薄膜，所述所有纳米LED单体的上方还通过ITO薄膜连接。

进一步地，所述Ag金属膜层的厚度为2－20nm。

进一步地，所述纳米LED单体为长条型纳米LED单体，所述长条型纳米LED单体的宽度为50－950nm，所述并列的两个长条型纳米LED单体的间距为300－2000nm。

本发明的有益效果是：本发明采用的一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法，将由Ag纳米粒子均匀分布形成的Ag金属膜层应用在纳米发光二极管的结构上，不仅增强了纳米发光二极管的散热性能，保证在大电流下高效稳定地工作，提高了纳米发光二极管的使用寿命，而且由于Ag纳米粒子的局域表面等离子体增强效应，能够大幅度提高发光二极管的出光效率。

附图说明

下面结合附图和实例对本发明作进一步说明。

图1是本发明一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法的具体流程图；

图2是本发明一种长条阵列式纳米发光二极管的侧面剖视图；

图3是本发明一种长条阵列式纳米发光二极管的俯视图。

具体实施方式

参照图1，本发明的一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法的具体流程图，包括以下步骤：