[发明专利]一种长条阵列式纳米发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：制作长条阵列式纳米发光二极管所需要的掩膜板；

S2：在衬底上设置LED外延片；

S3：进行光刻处理，从而获得长条阵列式纳米发光二极管的图案；

S4：进行刻蚀处理，从而初步获得长条阵列式纳米发光二极管原型；

S5：在长条阵列式纳米发光二极管原型的表面镀制SiO₂膜层；

S6：在SiO₂膜层表面镀制Ag金属材料，然后进行退火处理，促使上述Ag金属材料在SiO₂膜层表面生成由Ag纳米粒子均匀分布形成的Ag金属膜层；

S7：设置电极位置并进行套刻处理，除去电极位置的SiO₂膜层和Ag金属膜层；

S8：制备电极；

S9：进行激光裂片处理。

2.根据权利要求1所述的一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中掩膜板预留了便于进行分割的激光轨道，所述的激光轨道的形状为环形或者同心矩形。

3.根据权利要求1所述的一种长条阵列式纳米发光二极管的制备方法，其特征在于：所述步骤S6中退火处理时的温度为750－950℃，退火时间为0.5－5分钟。

4.一种纳米发光二极管，其特征在于：包括衬底、纳米LED单体、SiO₂膜层和由Ag纳米粒子均匀分布形成的Ag金属膜层，所述纳米LED单体设置在衬底上，所述SiO₂膜层和Ag金属膜层依次设置在纳米LED单体的四周侧面上。

5.根据权利要求4所述的一种纳米发光二极管，其特征在于：包括一个以上纳米LED单体，所述纳米LED单体在衬底上呈阵列式排列。

6.根据权利要求5所述的一种纳米发光二极管，其特征在于：所述纳米LED单体由上至下依次为P－GaN层、量子阱和N－GaN层，所述所有纳米LED单体的N－GaN层之间相互连接。

7.根据权利要求5所述的一种纳米发光二极管，其特征在于：所述纳米LED单体由上至下依次为N－GaN层、量子阱和P－GaN层，所述所有纳米LED单体的P－GaN层之间相互连接。

8.根据权利要求5所述的一种纳米发光二极管，其特征在于：还包括ITO薄膜，所述所有纳米LED单体的上方还通过ITO薄膜连接。

9.根据权利要求4所述的一种纳米发光二极管，其特征在于：所述Ag金属膜层的厚度为2－20nm。

10.根据权利要求4所述的一种纳米发光二极管，其特征在于：所述纳米LED单体为长条型纳米LED单体，所述长条型纳米LED单体的宽度为50－950nm，所述并列的两个长条型纳米LED单体的间距为300－2000nm。