[发明专利]一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法

权利要求书

1.一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法，其特征在于所述方法为：

步骤(1)，将铜基石墨烯裁剪成所需尺寸，然后利用聚甲基丙烯酸甲酯辅助化学腐蚀法将铜基石墨烯上的石墨烯转移到目标基底上；

步骤(2)，将目标基底置于真空加热装置中进行高温退火处理，把目标基底加热至500℃，并在500℃保持1小时，然后在真空状态下将目标基底自然冷却至室温，得到干净的石墨烯基底；

步骤(3)，将石墨烯基底装载到真空腔体中，利用热沉积法制备铜膜，将铜膜沉积到石墨烯的表面；

步骤(4)，将沉积有铜膜的石墨烯基底装载到真空腔体中，利用热沉积法制备金属酞菁单晶薄膜，将金属酞菁单晶薄膜沉积到铜膜的表面。

2.根据权利要求1所述一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法，其特征在于所述目标基底采用SiO2/Si基底、云母基底或PET基底。

3.根据权利要求1所述一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法，其特征在于所述步骤(2)中，真空加热装置的真空度小于1×10^-5Pa。

4.根据权利要求1所述一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法，其特征在于所述步骤(3)中，真空腔体需具备用于热沉积铜材料的高温束源炉，且真空腔体的气压小于1×10^-5Pa，所述铜材料采用铜含量大于等于99.99％的纯铜，在热沉积铜材料时，所述高温束源炉加热至1000℃，铜材料沉积速率保持在0.5纳米/分钟，沉积时间设为2分钟。

5.根据权利要求1所述一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法，其特征在于所述步骤(4)中，真空腔体需具备用于热沉积金属酞菁材料的束源炉，且真空腔体的气压小于1×10^-5Pa，在热沉积金属酞菁材料时，所述束源炉加热至400℃，金属酞菁材料沉积速率保持在0.02纳米/分钟。