[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：衬底；设置在衬底上并在第一方向上彼此间隔开第一结构、第二结构和第三结构，其中第一结构、第二结构和第三结构的每个包括下电极；以及支撑物图案，其支撑第一结构、第二结构和第三结构并包括第一区域和第二区域，其中第一区域暴露第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第一部分，第二区域围绕第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第二部分。支撑物图案的在第一结构与第二结构之间的侧壁的第一长度大于第一结构与第二结构之间的第一距离。支撑物图案的在第二结构与第三结构之间的侧壁的第二长度大于第二结构与第三结构之间的第二距离。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件。

背景技术

因为存储器件的集成密度由于半导体技术的快速发展已经增大，所以单位单元的面积已经减小，并且半导体器件的操作电压已经降低。例如，随着诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体器件的集成密度增大，半导体器件所占据的面积减小，但是半导体器件的电容可以保持或增大。随着半导体器件的电容增大，圆筒形下电极的纵横比增大。然而，这可能导致圆筒形下电极在电介质沉积之前倒塌或断裂。

发明内容

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种半导体器件包括：衬底；设置在衬底上并在第一方向上彼此间隔开的第一结构、第二结构和第三结构，其中第一结构、第二结构和第三结构的每个包括下电极；以及支撑物图案，其支撑第一结构、第二结构和第三结构并包括第一区域和第二区域，其中第一区域暴露第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第一部分，第二区域围绕第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第二部分。支撑物图案的在第一结构与第二结构之间的侧壁的第一长度大于第一结构与第二结构之间的第一距离。支撑物图案的在第二结构与第三结构之间的侧壁的第二长度大于第二结构与第三结构之间的第二距离。

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种半导体器件包括：衬底；第一结构，其设置在衬底上并包括第一下电极；第二结构，其设置在衬底上并包括第二下电极，其中第二结构在第一方向上与第一结构间隔开；第三结构，其设置在衬底上并包括第三下电极，其中第三结构在交叉第一方向的第二方向上与第一结构间隔开；以及支撑物图案，其支撑第一结构、第二结构和第三结构并包括第一区域和第二区域。第一区域暴露第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第一部分，第二区域围绕第一结构、第二结构和第三结构的侧壁的第二部分。第一结构、第二结构和第三结构的每个的中心是在交叉第一结构、第二结构和第三结构的每个的圆上的点。支撑物图案的在第一结构与第二结构之间的侧壁的第一长度大于所述圆的在第一结构与第二结构之间的部分的第二长度。

根据本发明构思的一示例性实施方式，一种半导体器件包括：衬底；设置在衬底上并在第一方向上彼此间隔开的第一结构、第二结构和第三结构，其中第一结构、第二结构和第三结构的每个包括下电极。半导体器件还包括：在交叉第一方向的第二方向上分别与第一结构、第二结构和第三结构间隔开的第四结构、第五结构和第六结构，其中第四结构、第五结构和第六结构的每个包括下电极；以及支撑物图案，其支撑第一结构、第二结构、第三结构、第四结构、第五结构和第六结构并包括第一区域和第二区域。第一区域暴露第一结构、第二结构、第三结构、第四结构、第五结构和第六结构的侧壁的第一部分，第二区域围绕第一结构、第二结构、第三结构、第四结构、第五结构和第六结构的侧壁的第二部分。支撑物图案的在第一结构与第二结构之间的侧壁的第一长度大于第一结构与第二结构之间的第一距离，支撑物图案的在第一结构与第四结构之间的侧壁的第二长度大于第一结构与第四结构之间的第二距离。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施方式，本发明构思的以上及另外的特征将变得更加明显，附图中：

图1是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的半导体器件的示意图；

图2是根据本发明构思的一示例性实施方式的沿图1的线A-A'截取的剖视图；

图3、4、5、6、7、8和9是示出根据本发明构思的一示例性实施方式的制造半导体器件的方法的剖视图；