[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

设置在所述衬底上并在第一方向上彼此间隔开的第一结构、第二结构和第三结构，其中所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构的每个包括下电极；以及

支撑物图案，其支撑所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构并包括第一区域和第二区域，其中所述第一区域暴露所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构的侧壁的第一部分，所述第二区域围绕所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构的所述侧壁的第二部分，

其中所述支撑物图案的在所述第一结构与所述第二结构之间的侧壁的第一长度大于所述第一结构与所述第二结构之间的第一距离，以及

所述支撑物图案的在所述第二结构与所述第三结构之间的侧壁的第二长度大于所述第二结构与所述第三结构之间的第二距离。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑物图案的在所述第一结构与所述第二结构之间以及在所述第二结构与所述第三结构之间的所述侧壁具有朝所述第二区域凸出的凸形。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述支撑物图案的在所述第一结构与所述第二结构之间的所述侧壁具有朝所述第二区域凸出的凸形，以及

过经支撑物图案的在所述第二结构与所述第三结构之间的所述侧壁具有朝所述第一区域凸出的凸形。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述支撑物图案的在所述第一结构与所述第二结构之间以及在所述第二结构与所述第三结构之间的所述侧壁在所述第一方向上延伸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

分别与所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构间隔开的第四结构、第五结构和第六结构，其中所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构分别相对于所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构设置在与所述第一方向形成锐角的第二方向上，

其中所述支撑物图案的所述第一区域暴露所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构的侧壁的第一部分，以及

所述支撑物图案的所述第二区域围绕所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构的所述侧壁的第二部分。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中顺序地连接所述第一结构、所述第二结构、所述第三结构、所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构的中心的线具有平行四边形形状。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述支撑物图案的在所述第一结构与所述第四结构之间的侧壁的第三长度大于在所述第一结构与所述第四结构之间的第三距离。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

分别与所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构间隔开的第四结构、第五结构和第六结构，其中所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构分别相对于所述第一结构、所述第二结构和所述第三结构设置在垂直于所述第一方向的第三方向上，

其中所述支撑物图案的所述第一区域暴露所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构的侧壁的第一部分，以及

所述支撑物图案的所述第二区域围绕所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构的所述侧壁的第二部分。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中顺序地连接所述第一结构、所述第二结构、所述第三结构、所述第四结构、所述第五结构和所述第六结构的中心的线具有矩形形状。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述支撑物图案的在所述第一结构与所述第四结构之间的侧壁的第四长度大于所述第一结构与所述第四结构之间的第四距离。

11.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

设置在所述下电极上的电容器电介质膜；以及

设置在所述电容器电介质膜上的上电极。