[发明专利]数据储存装置以及非挥发式存储器操作方法

说明书

装置端得以仅部分执行主机所下达的读取/写入指令的数据储存装置设计。数据储存装置的一控制器是部分执行一主机下达的一第一读取/写入指令，并将该第一读取/写入指令所处的一部分执行状态以及一部分执行终点回传该主机，使该主机据以再下达一第二读取/写入指令。如此一来，该主机无须耗费过多资源在读取/写入指令颗粒度设定上。

技术领域

本发明是有关于数据储存装置以及非挥发式存储器操作方法，涉及电子装置以及数据中心…等应用。

背景技术

非挥发式存储器有多种形式，例如，闪存(flash memory)、磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive RAM)、铁电随机存取存储器(Ferroelectric RAM)、电阻式随机存取存储器(Resistive RAM)、自旋转移力矩随机存取存储器(Spin Transfer Torque-RAM，STT-RAM)…等，用于长时间数据保存。

非挥发式存储器一般是链接主机，由该主机操作。主机是以逻辑地址识别非挥发式存储器所储存的数据，而逻辑地址是动态配置对应非挥发式存储器的物理空间。主机识别的逻辑地址并非直观地映射非挥发式存储器物理空间。特别是，主机在以逻辑地址读取/写入该非挥发式存储器时，需考虑读取/写入指令颗粒度(I/O granularity)，使读取/写入指令的数据量符合运算资源与非挥发式存储器状况。主机将耗费可观资源在读取/写入指令颗粒度判断上。

发明内容

根据本案一种实施方式所实现的一种数据储存装置，包括非挥发式存储器以及控制器。该控制器部分执行主机下达的第一读取/写入指令，并将该第一读取/写入指令所处的部分执行状态以及部分执行终点回传该主机，使该主机据以再下达第二读取/写入指令。如此一来，该主机无须耗费过多资源在读取/写入指令颗粒度设定上。

本案更提出一种非挥发式存储器操作方法，包括：部分执行主机为一非挥发式存储器下达的第一读取/写入指令；以及将该第一读取/写入指令所处的部分执行状态以及部分执行终点回传该主机，使该主机据以再为该非挥发式存储器下达第二读取/写入指令。

下文特举实施例，并配合所附图示，详细说明本发明内容。

附图说明

图1是根据本案一种实施方式所实现的非挥发式存储器100操作架构；

图2是根据本案一种实施方式图解一数据中心200；

图3是流程图，根据本案一种实施方式说明控制器102如何应付主机106对该非挥发式存储器110的读取/写入指令；且

图4是流程图，根据本案一种实施方式说明主机106相关读取/写入指令的动作。

符号说明

100、100_1…100_M～非挥发式存储器；

102、102_1…102_M～控制器；

104、104_1…104_M～数据储存装置；

106～主机；

108、108_1…108_N～微处理器；

110、110_1…110_N～指令队列；

112、112_1…112_N～完成队列；

114～系统存储器；

116～映射表；

118～读取/写入数据；

200～数据中心；

S302…S310、S402…S408～步骤。

具体实施方式